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EEPW首页 >> 主题列表 >> 静态随机存储器(sram)

静态随机存储器(sram) 文章

基于SRAM的FPGA配置数据存储方式解析方案

  • 1.引言由于FPGA 良好的可编程性和优越的性能表现,当前采用FPGA 芯片的嵌入式系统数量呈现迅速增加的趋势,特别是在需要进行大规模运算的通信领域。目前FPGA 配置数据一般使用基于SRAM 的存储方式,掉电后数据消失,
  • 关键字: SRAM  FPGA  数据存储  方式    

基于SRAM工艺FPGA的加密方法介绍

  • 在现代电子系统设计中,由于可编程逻辑器件的卓越性能、灵活方便的可升级特性,而得到了广泛的应用。由于大规模高密度可编程逻辑器件多采用SRAM工艺,要求每次上电,对FPGA器件进行重配置,这就使得可以通过监视配置
  • 关键字: 方法  介绍  加密  FPGA  SRAM  工艺  基于  

嵌入式系统应用中NV SRAM存储器的应用

  • 嵌入式系统应用中NV SRAM存储器的应用,传统方案中常常采用EPROM、EEPROM和Flash存储程序,NVSRAM具有高速存取时间和与SRAM相同的接口,因而可用于存储程序。本文介绍NVSRAM如何与基于程序和数据存储的微处理器进行接口,并说明选用NVSRAM与现有的其它非易
  • 关键字: 应用  存储器  SRAM  NV  嵌入式  系统  

DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM

  • DS1265W 8Mb非易失(NV)SRAM为8,388,608位、全静态NV SRAM,按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电 ...
  • 关键字: DS1265W  SRAM  

DS1250 4096k、非易失SRAM

  • DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自 ...
  • 关键字: DS1250  4096k  SRAM  

DS1250W 3.3V 4096k全静态非易失SRAM

  • DS1250W 3.3V 4096k NVSRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂 ...
  • 关键字: DS1250W  3.3V  4096k  全静态  SRAM  

一种基于MCU内部Flash的在线仿真器设计方法

SoC用低电压SRAM技术

  • 东芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上,发布了采用09年开始量产的40nm工艺SoC的低电压SRAM技术。该技术为主要用于便携产品及消费类产品的低功耗工艺技术。通过控制晶体管阈值电压的经时变化,可抑
  • 关键字: SRAM  SoC  低电压    

Linux下ColdFire片内SRAM的应用程序优化设计

  • Linux下ColdFire片内SRAM的应用程序优化设计,本文以MP3解码器为例,介绍了一种在嵌入式Linux系统下配置使用处理器片内SRAM的应用方案,有效提高了代码的解码效率,降低了执行功耗。该方案不论在性能还是成本上都得到了很大改善。1 硬件平台和软件架构硬件平台采
  • 关键字: 优化  设计  应用程序  SRAM  ColdFire  片内  Linux  

使用新SRAM工艺实现嵌入式ASIC和SoC的存储器设计

  • 使用新SRAM工艺实现嵌入式ASIC和SoC的存储器设计,基于传统六晶体管(6T)存储单元的静态RAM存储器块一直是许多嵌入式设计中使用ASIC/SoC实现的开发人员所采用的利器,因为这种存储器结构非常适合主流的CMOS工艺流程,不需要增添任何额外的工艺步骤。如图1a中所示的那样
  • 关键字: SoC  存储器  设计  ASIC  嵌入式  SRAM  工艺  实现  使用  

基于FPGA与外部SRAM的大容量数据存储

  • 1引言我们将针对FPGA中内部BlockRAM有限的缺点,提出了将FPGA与外部SRAM相结合来改进设计的方法,并给出...
  • 关键字: FPGA  SRAM  

富士通与SuVolta展示其SRAM可在0.4伏低压下工作

  •   富士通半导体有限公司和SuVolta公司宣布,通过将SuVolta的PowerShrink 低功耗CMOS与富士通半导体的低功耗工艺技术集成,已经成功地展示了在0.425V超低电压下,SRAM(静态随机存储)模块可以正常运行。这些技术降低能耗,为即将出现的终极“生态”产品铺平道路。技术细节和结果会在12月5日开始在华盛顿召开的2011年国际电子器件会议(IEDM)上发表。   从移动电子产品到因特网共享服务器,以及网络设备,控制功耗成为增加功能的主要限制。而供应电
  • 关键字: 富士通  SRAM  

富士通和SuVolta展示低电压工作的SRAM模块

  •   富士通半导体和SuVolta宣布,通过将SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS与富士通半导体的低功耗工艺技术集成,已经成功地展示了在0.425V超低电压下,SRAM(静态随机存储)模块可以正常运行。这些技术降低能耗,为即将出现的终极“生态”产品铺平道路。技术细节和结果将会在12月5日开始在华盛顿召开的2011年国际电子器件会议(IEDM)上发表。   从移动电子产品到因特网共享服务器,以及网络设备,控制功耗成为增加功能的主要限制。而供应电压又是决定功耗的重要因素
  • 关键字: 富士通  SRAM   

富士通半导体与SuVolta携手合作

  • 富士通半导体有限公司和SuVolta,Inc今日宣布,通过将SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS与富士通半导体的低功耗工艺技术集成,已经成功地展示了在0.425V超低电压下,SRAM(静态随机存储)模块可以正常运行。这些技术降低能耗,为即将出现的终极“生态”产品铺平道路。技术细节和结果将会在12月5日开始在华盛顿召开的2011年国际电子器件会议(IEDM)上发表。
  • 关键字: 富士通  SuVolta  SRAM  

新型高可靠性低功耗6管SRAM单元设计

  • 摘要:提出一种新型的6管SRAM单元结构,该结构采用读/写分开技术,从而很大程度上解决了噪声容限的问题,并且该结构在数据保持状态下,采用漏电流以及正反馈保持数据,从而不需要数据的刷新来维持数据。仿真显示了正
  • 关键字: 单元  设计  SRAM  功耗  可靠性  新型  
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静态随机存储器(sram)介绍

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