摘 要：文章中提出了一种应用于FPGA 的嵌入式可配置双端口的块存储器。该存储器包括与其他电路的布线接口、可配置逻辑、可配置译码、高速读写电路。在编程状态下，可对所有存储单元进行清零，且编程后为两端口独
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FPGA SRAM 嵌入式
摘 要：文章中提出了一种应用于FPGA 的嵌入式可配置双端口的块存储器。该存储器包括与其他电路的布线接口、可配置逻辑、可配置译码、高速读写电路。在编程状态下，可对所有存储单元进行清零，且编程后为两端口独立
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FPGA SRAM 嵌入式
瑞萨电子开发出了对起因于随机电报噪声（RTN：Random Telegraph Noise）的SRAM误操作进行观测并实施模拟的方法。利用该方法可高精度地估计22nm以后尖端LSI中的RTN影响，适当设定针对RTN的设计余度。该公司已在ldquo
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SRAM RTN 模拟 方法
RAM业界的领导者赛普拉斯半导体公司日前宣布推出新型36-Mbit 和 18-Mbit 容量的四倍速™ (QDR™) 和双倍速 (DDR) SRAM，这些新产品是其65-nm SRAM 系列产品中的最新成员。这些新的存储器件完善了业界最宽的65-nm同步SRAM产品线，最高容量可达144Mbit，速度最快可达550MHz。赛普拉斯拥有专利的工艺技术最多可将90-nmSRAM的功耗降低50%，引领了“绿色”网络架构应用的新潮流。
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赛普拉斯 SRAM
随着集成电路的密度和工作频率按照摩尔定律所描述的那样持续增长，使得高性能和低功耗设计已成为芯片设计的主流。在微处理器和SoC中，存储器占据了大部分的芯片面积，而且还有持续增加的趋势。这使存储器中的字线长度和位线长度不断增加，增加了延时和功耗。因此，研究高速低功耗存储器的设计技术对集成电路的发展具有重要意义。对SRAM存储器的低功耗设计技术进行研究，在多级位线位SRAM结构及工作原理基础上，以改善SRAM速度和功耗特性为目的，设计了基于位线循环充电结构的双模式自定时SRAM，其容量为8K×32 b。 关键字：
定时 电路设计 模式 SRAM 循环 充电 基于
SRAM市场的领导者赛普拉斯半导体公司日前宣布，全球领先的通讯设备和网络解决方案供应商中兴公司在其新型ZXCME 9500系列以太网交换机中选用了赛普拉斯的QDR™II+ (四倍速™) SRAM器件。赛普拉斯的65-nm 72-Mbit QDRII+ SRAM能在目前市场上最快的550MHz的时钟频率下工作，且拥有市场上最宽泛的产品选择范围，并能提供业界最多的参考设计。
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赛普拉斯 交换机 SRAM
普拉斯半导体公司日前宣布通讯设备和网络解决方案供应商中兴公司在其新型ZXCME 9500系列以太网交换机中选用了赛普拉斯的QDRtrade;II+ (四倍速trade;) SRAM器件。赛普拉斯的65-nm 72-Mbit QDRII+ SRAM能在目前市场上
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普拉 72-Mbit SRAM 赛普 选用 新型 以太网 交换机 中兴
基于FPGA与SRAM的大容量数据存储的设计, 1 前言 针对FPGA中内部BlockRAM有限的缺点，提出了将FPGA与外部SRAM相结合来改进设计的方法，并给出了部分VHDL程序。 2 硬件设计 这里将主要讨论以Xilinx公司的FPGA(XC2S600E-6fg456)和ISSI公司的SRAM(IS61
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存储 设计 数据 大容量 FPGA SRAM 基于
同步SRAM的传统应用领域是搜索引擎，用于实现算法。在相当长的一段时间里，这都是SRAM在网络中发挥的主要作用。然而，随着新存储技术的出现，系统设计师为SRAM找到了新的用武之地，如：NetFlow(网流)、计数器、统
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应用 网络 SRAM
SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据. 基本简介 SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一
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SRAM 工作原理
在现代电子系统设计中，由于可编程逻辑器件的卓越性能、灵活方便的可升级特性，而得到了广泛的应用。由于大规模高密度可编程逻辑器件多采用SRAM工艺，要求每次上电，对FPGA器件进行重配置，这就使得可以通过监视配置
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保密性 问题 FPGA 工艺 SRAM 基于
赛普拉斯半导体公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速异步SRAM，开创业界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上，拥有非常快的响应时间和最小化的封装尺寸。目标应用领域包括存储服务器、交换机和路由器、测试设备、高端安全系统和军事系统。
CY7C1071DV33 32-Mbit 3V 和 CY7C1081DV33 64-Mbit 3V快速异步SRAM提供16-bit和8-bit I/O配置。新的32-Mbit和64-Mbit SRAM的访问时间可达12ns。器件采用符合RoHS标准的48-B
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赛普拉斯 SRAM
编者点评：存储器是半导体业的风向标。它的特点起伏大，几乎每十年有一次大的变动及盈利一年要亏损2-3年。另一个是反映半导体制造工艺能力水平，通常新建生产线会采用SRAM工艺来通线及会尽可能的采用最先进工艺技术。另外存储器的产值约占半导体的23%，但其投资会占到半导体的40-60%。尽管看似供求市场决定它的周期变化, 非常简单,然而实际上操作很难。所以韩，美包括台湾地区都不会轻易退出此领域。中国是全球最大的半导体市场, 从长远战略看不该缺席存储器。
美光公司报道它的季度业绩由亏损3亿美元转变到盈利9
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美光 存储器 SRAM
东芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，发布了采用09年开始量产的40nm工艺SoC的低电压SRAM技术。该技术为主要用于便携产品及消费类产品的低功耗工艺技术。通过控制晶体管阈值电压的经时变化，可抑制SRAM的最
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SRAM SoC 低电压
瑞萨电子开发出了一种新型SRAM电路技术，可克服因微细化而增加的CMOS元件特性不均现象，还能在维持速度的同时，以更小的面积实现合适的工作裕度。以上内容是在半导体电路技术相关国际会议“2010 Symposium on VLSI Circuits”上发布的(论文序号：10.2)。作为40nm工艺的产品，该公司试制出了bit密度达到业界最高水平的SRAM，并确认了其工作性能。主要用于实现40nm工艺以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。
在So
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瑞萨电子 SRAM CMOS
静态随机存储器（sram）介绍
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