日本德州仪器耐压30V的新模拟工艺技术将投入量产

　　日本德州仪器（日本TI）日前就模拟IC量产中采用的新工艺技术“LBC7”召开了一场记者说明会。LBC7是一种能够集成耐压30V的LDMOS（laterally diffused MOS）的双极CMOS技术，相当于现有双极CMOS技术“LBC6”（可集成耐压18V的LDMOS）的后续技术。今后，美国德州仪器公司（TI）将运用LBC7，在2005年下半年至2006年陆续投产最大耐压达数10V的电源IC、硬盘等马达驱动IC与伺服驱动IC，以及车用半导体产品等。LBC7的生产线位于日本茨城县美浦工厂。

　　与LBC6相比，LBC7对特性及制造技术等都进行了改进。首先，将LDMOS的导通电阻减小了15～20％。比如，Vdss为30V时导通电阻约为0.1mΩ