英飞凌将与松下电器联袂 双双推出常闭型600VGaN功率器件

　　英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布，两家公司已达成协议，将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构，与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。在此背景下，松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶体管结构的许可。按照这份协议的规定，两家公司均可生产高性能GaN器件。由此带来的益处是客户可以从两条渠道获得采用可兼容封装的GaN功率开关。迄今为止，没有任何其他硅基板GaN器件提供了这样的供货组合，双方商定不披露任何其他合同细节。

　　作为新一代化合物半导体技术，硅基板GaN技术备受关注。一方面，它可以实现很高的功率密度，从而缩小设备的外形尺寸(如电源和适配器);另一方面，它是提高能效的关键。一般而言，基于硅基板GaN技术的功率器件适用于各种领域，从高压工业设备，如服务器电源(这也是600V GaN器件的潜在应用领域之一)，到低压设备，如直流-直流转换器(如在高端消费电子产品中)。IHS发布的市场研究报告显示，与硅基板GaN技术相关的功率半导体市场，将以高达50%以上的复合年增长率(CAGR)增长，也就是说，到2023年，其市场容量将从2014年的1500万美元，增至8亿美元。