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MAX5048C高电流MOSFET驱动器-高频开关电源的理想选择

作者:时间:2012-12-16来源:网络收藏

是一个高速,能够吸收/7A/3A峰值电流。该器件采用逻辑输入信号,驱动外部。该器件具有反相和同相输入,给用户更大的灵活性来控制。该器件还具有低侧驱动增强型氮化镓(GaN)场效应管所需的功能。该器件具有两个独立的输出的互补模式,提供灵活的控制在开通和 ??关断速度。 该器件具有内部逻辑电路,防止直通输出状态的变化。逻辑输入电压尖峰保护,防止+14 V,V +电压无关。传播延迟时间被最小化,并且配对的反相和同相输入端之间。该器件具有非常快的开关时间很短的传输延迟(8ns的典型值),高频电路的理想选择。 该器件工作在+4 V至+14 V单电源供电,典型功耗为0.5mA的电源电流,并具有TTL输入逻辑电平。该器件采用6引脚SOT23封装的MAX5048B的用户提供升级路径。

关键特性

独立的源/汇输出,用于控制上升和下降时间

+4 V至+14 V单电源

7A/3A峰值吸入/源驱动电流

0.3Ωn沟道漏极开路漏极输出

0.84ΩP沟道漏极开路源输出

8ns的传输延迟低

同相和反相输入的匹配之间的延迟时间

TTL逻辑电平输入迟滞噪声抗扰度

无论V +电压+14 V额定输入

低输入电容(10pF的典型值)

5ns的典型上升和4ns的典型下降时间1nF负载

热关断保护

6引脚SOT23封装

-40°C至+125°C工作温度范围

引脚兼容的MAX5048B

图表

MAX5048C:典型工作电路

典型工作电路



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