三星电子调派2000名工程师至平泽工厂，强化HBM技术研发

据报道，三星电子近期进行了大规模人事调整，调派约2000名工程师至位于韩国平泽的半导体生产基地，旨在解决高带宽内存（HBM）技术面临的挑战。 然而，三星公司否认了这些说法，称其毫无根据。

韩国媒体指出，此次人事调整由三星设备解决方案（DS）部门执行副总裁兼负责人Jun Young-hyun主导，旨在提升先进DRAM工艺的良品率，并应对三星在HBM领域的技术差距。 据悉，超过2000名来自三星器兴和华城园区的工程师被重新分配至平泽工厂，以加强生产过程管理和产品质量。 此次调整主要针对在从开发到量产过渡阶段专注于优化良品率的工程师。

三星正加速其平泽P4工厂的设备采购，预计将开始第六代10纳米级DRAM（1c DRAM）的量产。 然而，三星的HBM3E产品据称未能达到行业标准，可能无法进入英伟达的供应链。 据报道，三星对未能满足英伟达的HBM标准表示歉意，并对未来的突破表示乐观。

此外，SK海力士计划在2025年底前转向3纳米工艺生产HBM4产品，这可能会扩大其与三星之间的技术差距。 三星正在探索使用3纳米工艺生产HBM4芯片的可能性，以保持竞争力。

此次人事调整和战略部署，体现了三星电子在人工智能和高性能计算领域对先进内存解决方案的重视，以及其在全球半导体市场中保持竞争优势的决心。