碳化硅MOSFET加速应用于光伏领域 增量市场需求望爆发

据报道，近年来，光伏逆变器制造商采用SiC MOSFET的速度越来越快。最近，又有两家厂商在逆变器中采用了SiC MOSFET。1月30日，德国KATEK集团宣布，其Steca太阳能逆变器coolcept fleX系列已采用纳微半导体的GeneSiC系列功率半导体，以提高效率，同时减少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于沟槽辅助平面栅极SiC MOSFET技术，可以在高温和高速下运行，寿命最多可延长3倍，适用于大功率和快速上市的应用。1月13日，美国制造商Brek Electronics开发了采用SiC MOSFET的两款串式逆变器，设备的功率可达到200kW和400kW，设备效率高达99％，平均故障时间也有所缩短。

SiC（碳化硅）功率器件拥有更好的开关效率并且能高效地进行热量积累，由SiC制造的高电压MOSFET具有优越的开关性能，其功能不受温度影响，由此能很好地在升温系统中保持稳定效力。此外，SiC MOSFET也可以在具备高转换频率的同时，拥有99％以上的逆变效率。光伏逆变器龙头企业已开始采用碳化硅MOSFET功率器件替代硅器件，预计中长期内，SiC将会成为太阳能光伏领域功率器件的主要制造原料，带动产业链整体实现迭代升级。研究机构预计，2025年SiC光伏逆变器占比将达到50％，增量市场需求望加速爆发。

国星光电（002449）推出的SiC MOSFET具备Si IGBT所拥有的优势，具有更快速的开关响应，更低的损耗。公司SiC功率模块产品可应用于光伏逆变器，可依据客户需求进行定制化生产。

新洁能（605111）公司目前已推出1200V 60mohm SiC MOSFET等SiC MOSFET系列产品，同时通过相关电性能测试评估及可靠性考核，产品综合特性达到国际先进水平，主要目标市场是光伏逆变和汽车。