三菱电机和Nexperia合作开发SiC功率半导体

三菱电机将与Nexperia（安世）合力开发SiC芯片，通过SiC功率模块来积累相关技术经验。

东京--(美国商业资讯)--三菱电机株式会社(Mitsubishi Electric Corporation，TOKYO: 6503)今天宣布，将与Nexperia B.V.建立战略合作伙伴关系，共同开发面向电力电子市场的碳化硅(SiC)功率半导体。三菱电机将利用其宽带隙半导体技术开发并提供SiC MOSFET芯片，Nexperia将使用这些芯片开发SiC分离器件。

电动汽车市场正在全球范围内扩大，并有助于推动SiC功率半导体的指数级增长，SiC功率半导体比传统硅功率半导体具有更低的能量损失、更高的工作温度和更快的开关速度。SiC功率半导体的高效率有望为全球脱碳和绿色转型做出重大贡献。

三菱电机在高速列车、高压工业应用和家用电器等领域建立了领先地位。2010年，该公司推出了世界上第一个用于空调的SiC功率模块，并于2015年成为新干线子弹头列车全SiC功率模块的首家供应商。三菱电机在开发和制造SiC功率模块方面积累了卓越的专业知识，这些模块以其先进的性能和高可靠性而闻名。