EPC扩大了 40 V eGaNFET的产品陈容，新产品是高功率密度电信、网通和计算解决方案的理想器件

EPC 推出了 40 V、1.6 mΩ的氮化镓场效应晶体管 （eGaN^® FET），器件型号为EPC2069，专为设计人员而设，EPC2069比目前市场上可选的器件更小、更高效、更可靠，适用于高性能且空间受限的应用。

宜普电源转换公司（EPC）是增强型硅基氮化镓功率晶体管和集成电路的全球领导者。新推的EPC2069（典型值为 1.6 mΩ、40 V）是更高性能的低压器件，可立即供货。

EPC2069 非常适合需要高功率密度的应用，包括48 V-54 V输入服务器。较低的栅极电荷和零反向恢复损耗可实现1 MHz及更高频率的高频操作、高效并在10.6 mm² 的微小占位面积内，实现高功率密度。EPC2069器件可支持48V/12V DC/DC解决方案，范围从 500 W 到 2 kW，效率超过98%。在初级侧和次级侧使用氮化镓（eGaN）器件可实现超过4000 W/in³ 的最大功率密度。

EPC公司首席执行官兼共同创办人Alex Lidow 表示：“EPC2069器件专为从40 V–60 V转至12 V的LLC DC/DC转换器的次级侧而设计，目前非常普遍用于48 V–54 V输入的服务器，以应对人工智能和游戏等高密度计算应用所需。与上一代40 V GaN FET相比，这款40 V器件的尺寸更小、寄生电感更小和成本更低，从而让设计师实现更高的性能和成本效益”。

EPC90139开发板的最大器件电压为40 V 、最大输出电流为40 A，配备板载栅极驱动器的半桥器件，采用了EPC2069 eGaN FET。这款 2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm)。电路板专为实现最佳开关性能而设计，包含所有关键组件，让工程师易于评估EPC2069。

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓（eGaN^®）的功率管理器件的领先供货商，氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目标应用包括直流- 直流转换器、激光雷达（LiDAR）、用于电动运输、机器人和无人机的电机驱动器，以及低成本卫星等应用。此外，宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列，为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。eGaN^® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。