5G高频让氮化镓放光彩 硅基氮化镓将进入量产

　　5G高频率特性让氮化镓(GaN)半导体制程成为功率放大器(PA)市场主流技术，同时，GaN功率元件也开始被大量应用在车联网及电动车领域。看好GaN市场强劲成长爆发力，世界先进(5347)经过3年研发布局，今年硅基氮化镓(GaN-on-Si)制程将进入量产，成为全球第一家提供8吋GaN晶圆代工的业者，大啖5G及车电市场大饼。

　　台积电及世界先进近年来积极投入GaN制程研发，今年可望开花结果，合力抢进快速成长的GaN晶圆代工市场。台积电与德商戴乐格(Dialog)等客户合作，已开始提供6吋GaN晶圆代工服务;世界先进与设备材料厂Kyma、转投资GaN硅基板厂QROMIS携手合作，去年底已成功试产8吋GaN晶圆，今年将成为全球首家提供8吋GaN晶圆代工服务的业者。

　　相较于硅制程及砷化镓(GaAs)等成熟半导体技术，GaN是相对较新的制程。随着5G技术即将全面商用，基地台升级商机庞大，由于5G技术上采用更高操作频率，业界对于GaN元件将逐步取代横向扩散金氧半导体(LDMOS)并成为市场主流技术已有高度共识。另外，在手机PA元件部份，3G及4G主要采用GaAs制程，5G因为高频的关系，让GaN制程的PA元件很有机会成为市场新主流。

　　市调机构拓墣指出，GaN因具备耐高温与适合在高频操作下的优势，不仅可使晶片面积可大幅减少，并能简化周边电路的设计。同时，低导通电阻及低切换损失的特性，也能大幅降低车辆运转时的能源转换损失，对于电动车续航力的提升有相当的帮助。

　　在射频及PA元件、与车用电子等相关晶片市场中，包括恩智浦、英飞凌、德仪等IDM厂位居主导地位，但在GaN技术上，IDM厂反而开始透过晶圆代工厂取得产能。也因此，世界先进顺利抢进8吋GaN晶圆代工市场，可望争取到更多5G及车电等相关晶圆代工订单。

　　世界先进去年合并营收年减3.6%达249.10亿元，归属母公司税后净利年18.7%达45.05亿元，每股净利2.75元，符合市场预期。世界先进董事会决议今年每普通股拟配发3元现金股利。由于8吋晶圆代工产能吃紧，加上硅晶圆价格看涨，世界先进与客户协商后已小幅调涨第一季晶圆代工价格，由于产能全年供不应求，价格应可逐季调涨，有助于营收及获利表现。