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国内首台集成电路ALD设备进驻上海集成电路研发中心

作者:时间:2017-12-11来源:中证网收藏

  近日,由北方华创下属子公司北方华创微电子自主研发的国内首台12英寸原子层沉积(AtomicLayerDeposition,)设备进驻上海研发中心。北方华创微电子为国产高端装备在先进芯片生产线的应用再添新秀。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201712/372781.htm

  设备是先进制造工艺中必不可少的薄膜沉积设备,工艺具有工艺温度低、薄膜厚度控制精确及台阶覆盖率高等优点。在集成电路特征线宽发展到28纳米节点后,ALD工艺应用日益广泛。北方华创微电子自2014年开始布局ALD设备的开发计划,历时四年,成功推出中国首台应用于集成电路领域的量产型单片ALD设备——PolarisA630,应用于沉积集成电路器件中的高介电常数和金属栅极薄膜材料,设备的核心技术指标达到国际先进水平。

  此次,北方华创微电子PolarisA630ALD设备以参与公开竞标方式,成功进驻上海集成电路研发中心有限公司,同时中标的产品还有北方华创微电子集成电路AlPad工艺的eVictorA1030物理气相沉积系统。至此,北方华创微电子已有硅刻蚀机、单片退火设备、HardmaskPVD、AlPadPVD、单片清洗机、立式炉、ALD等集成电路设备应用于28-14纳米工艺制程,扩展了国产高端装备在集成电路先进制程的配套应用范围。



关键词: ALD 集成电路

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