IT之家 4 月 16 日消息，消息源 yeux1122 近日在其 Naver 博客上曝料，表示从苹果供应链处获悉，苹果正测试新的抗反射光学涂层技术，可以减少镜头炫光和鬼影等伪影，从而提高照片质量。供应链消息称苹果正在考虑在 iPhone 相机镜头制造工艺中，引入新的原子层沉积（ALD）设备。原子层沉积（Atomic layer deposition，ALD）是一种基于连续使用气相化学过程的薄膜沉积技术，将物质以单原子膜形式逐层镀在衬底表面的方法。ALD 是一种真正的纳米技术
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思锐智能携业界尖端的离子注入（IMP）和原子层沉积（ALD）技术亮相SEMICON China 2024，持续建设全球一流的高端半导体制造装备，广泛赋能集成电路、第三代半导体等诸多高精尖领域。展会现场精彩瞬间思锐智能离子注入机（IMP）模型根据SEMI的数据，受芯片需求疲软等影响，2023年全球半导体设备销售额为1056亿美元，同比下降1.9%，而中国大陆地区半导体设备销售额同比增长28.3%。中国对成熟节点技术表现出了强劲的需求和消费能力。纵观全局，离子注入已成为半导体器件制备中最主要的掺杂方法，是最基
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日前，以“凝聚芯合力，发展芯设备”为主题的第十届（2022）中国半导体设备年会（CSEAC）在无锡太湖国际博览中心隆重召开。中国集成电路创新联盟秘书长、中国半导体协会集成电路分会理事长叶甜春在致辞中强调，中国集成电路发展到现在，确实需要进入新的阶段。这带来的变化就是从被动到主动的变化。如今，既然我们有自己的体系，就需要从系统应用、设计、制造、封测、装备、裁量、零部件形成内循环，然后对接国际资源构建国内国际双循环，最终主动打造一个以我为主的全球化的新生态。在百年未有之大变局下，半导体产业同样迎接巨变。随着半
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原子层沉积(ALD, Atomic Layer Deposition)工艺，是当前及未来工艺节点相关的收缩及更复杂器件几何形状上沉积薄层材料的关键技术。如今，随着技术节点以惊人的速度持续进步，精确而又高效地生成关键器件特征成为了一项持久的挑战。 原子层沉积工艺依靠专业的高性能原子层沉积阀在数百万个脉冲中输送精确的化学品剂量，构建形成材料层。为了达到原子级精密度和高生产良品率，输送这些脉冲式化学品剂量的阀门必须日益精确且一致。世伟洛克一直致力于此，不断刷新ALD阀使用寿命、响应时间、高温高流量应用
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原子层刻蚀和沉积工艺利用自限性反应，提供原子级控制。泛林集团先进技术发展事业部公司副总裁潘阳博士 分享了他对这个话题的看法。图 1. 原子层工艺中的所有半周期反应是自限性反应。技术节点的每次进步都要求对制造工艺变化进行更严格的控制。最先进的工艺现在可以达到仅7 nm的fin宽度，比30个硅原子稍大一点。半导体制造已经跨越了从纳米级到原子级工艺的门槛。工程师现在必须关注结构的尺寸变化，仅相当于几个原子大小。由于多重图案模式等复杂集成增加了工艺数量，进一步限制了每个步骤允许的变化。3D N
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近日，由北方华创下属子公司北方华创微电子自主研发的国内首台12英寸原子层沉积(AtomicLayerDeposition，ALD)设备进驻上海集成电路研发中心。北方华创微电子为国产高端装备在先进集成电路芯片生产线的应用再添新秀。
ALD设备是先进集成电路制造工艺中必不可少的薄膜沉积设备，ALD工艺具有工艺温度低、薄膜厚度控制精确及台阶覆盖率高等优点。在集成电路特征线宽发展到28纳米节点后，ALD工艺应用日益广泛。北方华创微电子自2014年开始布局ALD设备的开发计划，历时四年，成功推出中国首台应
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由于低温沉积、薄膜纯度以及绝佳覆盖率等固有优点，ALD（原子层淀积）技术早从21世纪初即开始应用于半导体加工制造。DRAM电容的高k介电质沉积率先采用此技术，但近来ALD在其它半导体工艺领域也已发展出愈来愈广泛的应用。
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液化空气集团电子气业务线近日宣布，其应用于半导体制造的前驱体ZyALD已获得中国专利局授予的相关专利，从而使中国成为了继韩国、新加坡、中国台湾以及部分欧洲国家之后又一获得该项专利的国家。此外，相关专利的申请工作在其他国家及地区也预期顺利。ZyALD及其它类似分子应用于高介电常数沉积镀膜，该工艺目前已在全球范围内获得11项专利，另有13项专利正在申请中。
ZyALD是上述已获专利的系列分子中一种重要的锆前驱体(功能分子)。该分子能够在半导体制造工艺中，实现高温条
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半导体产业正在转换到3D结构，进而导致关键薄膜层对高速原子层沉积(ALD)的需求日益升高。过去在平面元件中虽可使用几个 PVD 与 CVD 步骤，但就闸极堆叠的观点而言，过渡到 FinFET 元件将需要全方位的 ALD 解决方案。
就 FinFET 而言，以其尺寸及控制关键元件参数对后闸极 (gate last) 处理的需求来说，在 14 奈米制程必需用到全 ALD 层。半导体设备大厂 ASM International (ASMI) 针对此一趋势，与《电子工程专辑》谈到了ALD 技术在先进半导
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半导体 FinFET ALD
摘要：阐述原子层沉积系统(ALD)中射频阻抗匹配器的设计方案。利用ADS软件对阻抗匹配网络进行仿真，通过分析ALD真空腔室内等离子体产生前后的负载阻抗变化，结合仿真结果，提出等离子体产生过程中阻抗匹配网络的控制方
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