新闻中心

EEPW首页 > 电源与新能源 > 新品快递 > 600 V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET将性能提升到全新水准

600 V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET将性能提升到全新水准

作者:时间:2017-11-25来源:电子产品世界

  017年11月24日,德国慕尼黑讯—凭借600 V CoolMOSCFD7,科技股份公司推出最新的高压超结技术。该600 V CoolMOS CFD7是CoolMOS 7系列的新成员。这款全新满足了高功率SMPS市场对谐振拓扑的需求。它的LLC和ZVS PSFB等软开关拓扑具备业内领先的效率和可靠性。这使其非常适合服务器、电信设备电源和 电动汽车充电站等高功率SMPS应用。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201711/372028.htm

    

 

    

 

  该600 V CoolMOS CFD7的前身是CoolMOS CFD2。新的效率比它的前身或竞争性产品高出1.45%之多。它不仅拥有快速开关技术的所有优势,还兼具高换相稳固性,同时不影响在设计过程中的轻松部署。该600 V CoolMOS CFD7拥有更低的栅极电荷(Qg)和更好的关断性能。此外,其反向恢复电荷(Qrr)比市场上的竞争性产品低69%之多。该600 V CoolMOS CFD7可为THD和SMD器件提供业内领先的解决方案,从而能够支持高功率密度解决方案。

 

 



关键词: 英飞凌 MOSFET

评论

技术专区

关闭