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英飞凌推出可提高开关速度的第六代650 V CoolSiC肖特基二极管

作者:时间:2017-09-29来源:电子产品世界

  科技股份公司推出第六代650 V CoolSiC™,是CoolSiC二极管产品系列的最新成员。它立足于第五代产品与众不同的特性,能确保可靠性、质量并提高效率。CoolSiC G6二极管是对600 V和650 V CoolMOS™ 7产品系列的完美补充。它们面向当前和未来的服务器和PC电源、电信设备电源和光伏逆变器应用。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201709/365006.htm

  第六代650 V CoolSiC采用全新布局以及全新专有肖特基金属系统,内部结构也与上代产品完全不同。其结果就是树立行业标杆VF(1.25 V),以及比上一代产品低17%的Qc x VF 优质系数(FOM)。此外,新推出的第六代全新二极管充分发挥碳化硅的强大特性——独立于温度的开关性能和没有反向恢复电荷。

  该器件的设计有助于在所有负载条件下提高效率,同时提高系统功率密度。因此, 第六代650 V CoolSiC具备降低散热要求、提高系统可靠性和极快开关速度等诸多优势。新款器件是具备最佳性价比的新一代碳化硅二极管产品。

  供货

  第六代650 V CoolSiC肖特基二极管现已开始供货。了解更多信息敬请访问:www.infineon.com/coolsic-g6



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