一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源

在模拟及数／模混合集成电路设计中，电压基准是非常重要的电路模块之一，而通过巧妙设计的带隙电压基准更是以其与电源电压、工艺、温度变化几乎无关的特点，广泛应用在LDO及DC-DC集成稳压器、射频电路、高精度A／D和D／A转换器等多种集成电路中。随着大规模集成电路的日益复杂和精密，亦对带隙基准电压的温度稳定性提出了更高的要求。传统的带系基准电压源只能产生固定的近似1．2 V的电压，不能满足在低压场合的应用。电流模带隙电路采用正温度系数的电流支路(PTAT)和负温度系数的电流支路(CTAT)并联产生与温度无关的基准电流。然后让此电流在电阻上产生基准电压。电流模带隙结构可以得到任意大小的基准电压。本文提出一种新的电流模带隙结构并采用一阶温度补偿技术设计了一种具有良好的温度特性和高电源抑制比，并且能快速启动的新型BiCMOS带隙基准电路。该电路结构简单且实现了低输出电压的要求。

1 带隙电压基准源的设计
1．1 传统电流模基准源结构原理
传统的电流模式带隙基准电路，在运算放大器的2个输入端加入阻值相等的2个分流电阻，输出基准由2个电流的和电流流过电阻获得。电路结构如图1所示。图1中，Q1发射区面积是Q2的N倍。由于放大器处于深度负反馈，A、B两点的电压相等。流过R1的电流为I1为PTAT电流，流过R2的电流I2为CTAT电流，则有：

通过合理选取R1，R2和N的值，可得具有零温度系数的输出电压Vref。通过改变R3可以得到不同的基准电压。