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Mouser推出Cree的1200V高频碳化硅半电桥模块

—— 在单个半电桥封装中结合SiC MOSFET和SiC肖特基二极管
作者:时间:2013-06-04来源:电子产品世界收藏

   Electronics宣布备货Cree公司的,这是业界首款在单个半电桥封装中结合SiC MOSFET和SiC肖特基二极管的产品。  

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/146034.htm
 

  Cree 1200V高频半电桥模块是首款商用全(SiC)电源模块。 它还是首款在单个半电桥封装中结合SiC MOSFET和SiC肖特基二极管的合格模块。这款新的二元模块拥有适合高频工作的超低损耗和高耐用性。的工作频率最高可达100kHz,可在1200V阻断电压下提供100A电流处理能力。更高的工作频率可实现紧凑而轻便的系统,而且可在系统中采用较为便宜的电感器和电容器。CAS100H12AM1非常适合工业应用,包括高功率转换器、电机驱动器、太阳能转换器、UPS和SMPS以及感应加热。有关CAS100H12AM1产品更多信息,请访问:http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3120893

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