联华与意法携手开发65纳米BSI CMOS影像传感器制程

　　联华电子日前宣布，与意法半导体合作开发65纳米CMOS影像传感器背面照度BSI技术。双方先前已在联华电子新加坡Fab 12i厂顺利研发出意法半导体的前面照度式FSI制程，在之前成功经验的基础上，此次合作将更进一步扩展两家公司的伙伴关系。此次1.1um像素间距的BSI制程将在联华电子新加坡Fab 12i厂进行研发，并将以开放式平台模式供客户采用，以协助客户迎接高分辨率与高画质(千万像素以上)尖端智能手机时代的到来。

　　联华电子负责12英寸产品运营的高级副总颜博文表示：“我们很高兴与意法半导体携手研发此次项目，扩展长期合作伙伴关系。此次协议贯彻了联华电子开放式平台的合作策略，提供客户导向晶圆专工解决方案，以满足日益攀升的市场需求。联华电子希望通过增加这一CIS BSI制程，在未来更进一步地强化双方全方位的技术组合。”

　　联华电子在CIS领域拥有雄厚实力，包含现有的8英寸与12英寸CIS制造解决方案，以满足多元化的市场需求。此次新开发的65纳米CIS技术将具备BSI制程，足以满足长期需求，除了可用于现有应用产品之外，预期未来也可以应用于车载电子设备与工业领域。65纳米BSI制程系针对迅速兴起的应用产品而推出，诸如智能手机、平板电脑、高阶显示器以及消费型数码相机/数码单反相机等，都可在取得意法半导体的授权后采用。

　　“过去意法半导体在影像技术上与联华电子合作的辉煌成绩，让我们对此次与联华电子携手开发次世代影像感测制程拥有极大的信心，”意法半导体负责影像、Bi-CMOS、ASIC及硅光子业务的副总裁Eric Aussedat表示，“双方合作的经验将使我们能够通过尖端的BSI制程支持所有本公司将拓展的应用产品与市场。”