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中国半导体产业须抓住机遇

作者:时间:2010-05-28来源:SEMI 收藏

  半导体业发展到了一个新时代,由于快接近终点,工艺研发的成本急速增长,按投资回报率的要求,己经促使许多顶级制造大厂改变策略,走fab lite的模式及走共同合作研发的道路。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/109445.htm

  研发成本高耸

  在市场经济中,原先都是排它性的,所以过去很难有合作性,更多的是互相竞争。如今由于IC研发成本的急速增长,光靠自身的力量己无法承担,促成一种新的市场理念诞生,即“共生同荣”,即有钱大家赚,这样的市场才能持久,生存下去。

  如下图所示;在1999年的0.13微米时,对于该类产品的市场销售额总量要求达50亿美元,而通常产品的研发费用占其总销售额的20%,即10亿美元,而用来进行0.13微米工艺的研发费用,平均为产品研发费用的20%,即2亿美元。可是到2007年的时,相应的产品销售额要求高达140 亿美元,产品研发费用为28亿美元及工艺研发费用高达5.6亿美元。而到2009年的32纳米时其对应的产品市场销售额为200亿美元,产品的研发及工艺的研发费用己分别高达40亿美元及8亿美元。在这样的背景下,许多顶级大厂纷纷放弃产品的制造,而走向拥抱代工。这也促成近期代工红火的源由。

  对于中国半导体业,由于基础薄弱,与先进水平尚有不小的差距。因此在12英寸生产线的推进过程中,可能光靠自身的努力不够,需要有技术合作伙伴的邦助。之前中芯国际与台积电的专利纠纷以及武汉新芯的12英寸生产线建成后迟迟不能投产,都反映需要用正确方法来获得技术以及在中国现时的条件下,光有钱可能并不能解决所有问题。

  机遇

  我们没有止步,一直在找适合的合作伙伴。如中芯国际的第一条12英寸存储器生产线上马时,技术分别来自奇梦达的90纳米沟槽式以及尔必达的90纳米堆叠式,那时产能的最大值可达月产2.9万片12英寸。可是出于种种原因,它们在给中芯国际技术的同时,又把更先进的70纳米工艺技术给了对岸的竞争对手。

  在2008年3月时,当时的CEO张汝京作了一个苦涩的决定,因为亏损,而停产存储器,转向生产逻辑电路。理论上当然也是合理的,但是由此增加了许多难度。无论从技术上以及订单方面都需要大量的时间与费用去调整。

  之后,中芯国际不停的在找,如与飞索,Spansion的NAND和NOR技术的合作,以及IBM的所谓技术转让等。中间有机遇及技术出口的控制问题,也有自身的相容性,对于技术的吸收能力。

  如今全球逻辑电路的顶级研发机构IMEC,愿意从产品的工艺平台出发,邦助上海华力进行65纳米CMOS技术开发,是一件具十分意义的大事。也即机会难得,不可错过。

  自主创新

  走共同合作开发的模式,目的为缩短爬坡的时间。在任何时候自主创新是根本,基础。因为在市场经济中没有人会把市场拱手于您,都是靠实力争斗出来的。在走合作开发模式时,一定是只有自身强,才能吸收好,否则就成了依赖,永远跟在别人后面走。这里提醒一句,即便65nm工艺技术成功,也仅是第一步, 离开市场化产品尚有不少差距, 可能会化更多的时间与精力, 因为产品的市场份额最重要。

  所以只有通过自主创新,踏实地走好每一步,把中国半导体业的整体水平提高。

  眼下全球代工正在搞“军备竞赛“,中国要根据自身的需要及可能,而不是非要争个全球第二。在如此好的机遇下,努力利用好IMEC的技术平台,争取同步成长, 培养出更多优秀人材。



关键词: 摩尔定律 45纳米

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