Intel65nm工艺成熟寻获漏电流解决办法
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Intel Fab12工厂的经理Steven Megli表示:即使制造环境的湿度稍有不同,也会对成品率造成严重影响。Intel希望在全球的工厂推广65nm工艺,但Steven Megli也承认这几乎不太可能,即使在Fab12,也只有90%的环境参数满足要求。
Intel在量产之前不放过任何一个微小错误的努力得到了回报——65nm的工艺仅需20个月就达到了成熟的水平,而180nm用了38个月、130nm用了30个月、90nm用了26个月。
Intel可以发现任何微小的错误,但为何没有发现基于90nm工艺的处理器明显的电流泄漏现象?对此,Markus Kuhn表示:Intel很清楚的意识到了这个问题,但这个问题是在研发的过程中引入的。虽然在提升处理器频率时会产生巨大的热量,但之前Intel认为这个问题不太重要。这仅仅到最近这才成为一个令人头疼的问题。在65nm工艺中,电流泄漏已经大大降低。但Markus Kuhn认为业界无法解决氧化栅极所带来的电流泄漏问题,这属于量子机械效应,不可避免。
那么,Intel能在这条路走多远呢?Markus Kuhn表示这远无止境。下一个研发的目标是32nm工艺的处理器,并有望在2009年投放市场。随后,就将步入纳米时代,瞄准20nm或更细的工艺。
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