12月上旬合约价DRAM持平　Flash下跌

　　12月上旬的存储器合约价格中，DRAM合约价意外持平开出，南亚科副总经理白培霖表示，主要是个人计算机(PC)厂急单涌入之故;而 NAND Flash合约价格则反应市场需求不佳，16Gb芯片价格下滑5~10%，32Gb芯片下跌2~6%，目前合约价格贴近现货价格水平，下游存储器业者都尽量减少库存水位，以免营运被跌价的NAND Flash芯片库存烫伤。

　　近期DRAM现货价格持续反弹，1Gb容量DDR2价格从2美元反弹至2.5美元，属于触底反弹，然整个市场的交易量是相当有限，反倒是原本各界预期12月上旬会开始跌价的DRAM合约价，则是意外持平开出，白培霖表示，部分PC厂的急单涌入，要求在月中前出货，使得原本预计会小跌的合约价反而持平。

　　日前力晶虽然大幅增加产能，但主要产能都让大型模块厂预订光，因此价格可暂稳，对于2010年市场展望，日系大厂尔必达(Elpida)社长坂本幸雄也释出乐观讯息，认为2010年会供不应求。

　　相较于DRAM现货价和合约价表现优于预期，NAND Flash合约价则是出现大跌，也算是反应现货价。8Gb芯片合约价跌幅最大，达10~15%，16Gb芯片价格则下滑5~10%，32Gb和64Gb芯片由于供给较少，因此跌幅不重。

　　现阶段NAND Flash产品需求仍旧是相当低迷，加上大客户苹果(Apple)也进入拉货淡季，因此价格持续下跌，原本最热门且缺货的小型记忆卡microSD需求也转淡，使得NAND Flash现货价和合约价都呈现跌势。

　　存储器模块厂表示，目前手上NAND Flash库存水位都持续降低中，主要认为在年底前NAND Flash价格很难有起色，目前先采取减少库存的策略。

　　对于NAND Flash市场供需，各界看法仍是偏向乐观，认为NAND Flash产品的应用领域相当多元化，包括手机、随身碟、快闪记忆卡等，都将驱动NAND Flash产业持续成长，尤其是智能型手机会是NAND Flash产业最杀手级的应用。