10月25日消息，据彭博社报道，台积电位于美国亚利桑那州凤凰城的第一座晶圆厂早期的生产良率已经超过其位于中国台湾类似晶圆厂的水平。这对于这座最初因缺乏熟练安装工人导致的量产进度延误的晶圆厂来说是一个重要突破。

报道援引一位参加网络研讨会的人士的说法，台积电美国部门总裁瑞克·卡西迪（Rick Cassidy）在本周三的网络研讨会上表示，台积电亚利桑那州凤凰城晶圆厂目前的良率水平比台湾的类似晶圆厂高出了约4个百分点。众所周知，良率是半导体行业的一个关键指标，因为它决定了生产出的芯片的可用性，芯片良率越高，则可以更大程度地摊薄制造成本。

值得注意的是，在今年9月，彭博社就曾引述消息人士的话报道称，台积电位于亚利桑那州的第一座晶圆厂在今年4月就已经开始基于4nm制程进行工程测试晶圆的生产，其良率已经与台积电位于中国台湾的南科厂良率相当。台积电当时也表示，项目照计划进行，并且进展良好。

台积电董事长兼总裁魏哲家近日在三季度业绩法说会上也表示：“我们的第一座工厂在四月份开始使用4纳米工艺技术进行工程晶圆生产，结果非常令人满意，良率非常好。这是台积电及其客户的重要运营里程碑，展示了台积电强大的制造能力和执行力。”

对于最新的关于台积电亚利桑那州晶圆厂良率已经超过台湾晶圆厂的说法，台积电发言人拒绝发表评论。

根据规划，台积电将在美国亚利桑那州凤凰城建设三座晶圆厂，其中晶圆一厂（Fab21）是4nm制程晶圆厂，晶圆二厂则是3nm晶圆厂。此前由于缺乏熟练工人等问题，导致晶圆一厂的量产时间从2024年推迟到了2025年，晶圆二厂的量产时间也由原定的2026年推迟到了2028年。两座晶圆厂完工后，合计将年产超过60万片晶圆，换算至终端产品市场价值预估超过400亿美元。此外，台积电还将在亚利桑那州建设第三座晶圆厂，预计将在21世纪20年代底（2029～2030年），采用2nm或更先进的制程技术进行芯片生产。

台积电这三座晶圆厂的总投资将会达到650亿美元。为此，美国政府已经承诺将依据《芯片与科学法案》为台积电提供66亿美元补贴，还有25%的税收抵免，以及50亿美元的贷款。

虽然在美国生产芯片的成本可能要比台湾高出50%以上，但是得益于美国政府的大力推动，以及美国客户关于供应链安全方面的考虑，苹果、英伟达等公司此前都已表态将会在台积电美国晶圆厂生产芯片。

编辑：芯智讯-浪客剑

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