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【ASEMI】US1M贴片超快恢复二极管SMA封装图解

发布人:ASEMI360 时间:2018-12-27 来源:工程师 发布文章

编辑:DD 2018-12-30


1.贴片超快恢复二极管US1M


US1M的主要参数

二极管类型:Super-fast Recovery Recovery

最大持续峰值反向电压:1000V

最大均方根电压:700V

最大直流阻断电压:1000V

最大平均整流电流(55度):1A

最大浪涌电流(8.3ms正弦波):30A

最大持续正向电压(直流1A):1.0V

最大直流反向电流(于额定直流阻断电压下):5uA(25度),500uA(100度)

最大全载反向平均电流:5uA

典型节点电容:60PF

操作及储存温度范围:-65 to +175度

器件标记:US1M

封装类型:SMA

总功率, Ptot:30W

表面安装器件:贴片


2.PDF规格书资料

【ASEMI】US1M贴片超快恢复二极管SMA封装图解

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