IBM宣布制造出全球首款2nm工艺节点的芯片，并在纽约州奥尔巴尼的工厂展示了2nm工艺生产的完整300mm晶圆，不过这并不意味着2nm工艺已实现批量生产。无论如何，这也是半导体设计和制造上的一个突破，在性能和能效上有质的飞跃。IBM认为，2nm芯片的潜在优势，包括提高手机电池使用寿命、减少数据中心碳排放量、让笔记本电脑拥有更多更快的功能、以及有助于提高自动驾驶汽车芯片的性能等。

据Anandtech报道，IBM介绍该技术可以将“500亿个晶体管放在指甲大小的芯片上”，其2nm芯片的晶体管密度（MTr/mm2）为333.33，几乎是台积电5nm工艺的两倍，也高于业界对台积电3nm工艺的预估（292.21 MTr/mm2）。与目前的7nm工艺相比，在同样的功耗下，其性能会高出45%，或者在同样性能下，功耗会降低75%。同时IBM的2nm工艺还采用了GAA（全环绕栅极晶体管）工艺，三星未来3nm工艺也将使用此项技术。

虽然IBM在2014年将晶圆厂卖给GlobalFoundries后，已没有了属于自己的晶圆厂，但是仍然在半导体创新方面处于领导地位。在半导体领域，IBM的突破还包括了首次实现7nm和5nm工艺技术、铜互连布线、高k栅极介质、多核微处理器、嵌入式DRAM、3D芯片堆叠和登纳德缩放比例定律等。此前英特尔在IDM 2.0战略中已宣布，未来将会与IBM在逻辑和封装技术方面进行合作。

IBM计划今年在旗下Power Systems服务器中使用其首款商用7nm工艺处理器IBM Power 10，支持PCIe Gen5和DDR5内存，采用了与三星合作研发的工艺，将由三星负责制造。

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