HT6256 32K×8高温静态随机存取存储器（RAM）是美国霍尼韦尔公司采用其HTMOS^TM Ⅳ SOI技术制造的一种具有工业标准功能性的高温32768字×8位静态随机存取存储器，专门设计用于油井井下作业、涡轮发动机控制、航空电子设备。工业过程控制、核反应堆、电源转换、重型内燃机等在恶劣高温环境下工作的系统中。HT6256 RAM高温静态随机存取存储器（RAM）的设计工作温度为-55℃ ～ +225℃，在这个温度范围内，产品的性能可获得保证。

图  HT6256 RAM 简化功能框图

注：（1）在28针DIP双列直插式封装中，HT6256不提供CE输出，并且HT6256 晶圆晶片不支持CE。对于交付使用的晶片，用户必须将CE连接至VDD。

HT6256高温静态随机存取存储器(RAM)采用5V±10%单电源供电，具有CMOS兼容输入输出（I/O）缓冲器。工作中，HT6256的功耗一般小于30mW/MHz；选择断开模式下的功耗则小于10mW。HT6256 RAM的读操作完全是异步的，5V供电下在整个设计工作温度范围内可保证5ns的最大存取时间。一般情况下，HT6256 RAM上的零件在零上300℃的温度下可工作一年，但在性能上会有所降低。当温度达到250℃时，存储器上的所有零件都会烧毁。

HT6256高温静态随机存取存储器(RAM)采用28针陶瓷密封双列直插式封装（DIP），或以晶片形式提供。其中，“H”表示产品生产厂商为霍尼韦尔公司（Honeywell）；“T”表示产品在制造上采用了高温SOI工艺；“6256”表示产品的类型为SRAM（静态随机存取存储器）。另外，如果要弄清产品具体采用了何种封装形式，可查看产品型号后所带的英文字母。若在“HT6256”后带有英文字母“D”，则表示所对应的产品采用的是28针双列直插式封装，若所带的英文字母为“Z”，则表示所对应的产品为晶片。

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