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三星将停产MLC NAND，未来聚焦TLC和QLC技术

据消息人士透露，三星计划在下个月停止接收MLC NAND芯片的订单，标志着其将逐步退出MLC NAND（多层单元NAND）业务。同时，三星还提高了MLC NAND的价格，促使部分客户开始寻找替代供应商。LG显示（LG D...

三星 MLC NAND 2025-05-27

我国科学家技术突破存储芯片无限次擦写引围观：TLC、QLC买谁恐不再纠结

7月1日消息，据国内媒体报道称，四川科学家借力AI 开发出"耐疲劳铁电材料"，让存储芯片无限次擦写。报道中提到，电子科技大学光电科学与工程学院刘富才教授团队联合复旦大学、中国科学院宁波材料技术与工程研...

存储芯片 TLC 2024-07-02

SK海力士全球首发128层消费级TLC SSD：最大1TB、寿命保密

距离年初在CES上首次展示过去了半年多，SK海力士今天终于正式发布了新款SSD Gold P31，这是全球首款面向消费级市场的128层堆叠NAND闪存产品，也是SK海力士的第一款消费级PCIe SSD。Gold...

SK 海力士 2020-08-20

Microchip推出全新8通道Flashtec PCIe 第四代企业级NVMe™固态硬盘控制器

随着数据中心支持的人工智能（AI）和机器学习（ML）工作负载越来越多，市场需要具备更宽存储带宽和更高单机架存储密度的云级别基础设施。因此，市场的趋势是按照如M.2和全球网络存储工业协会（SINA）新推出的企业和数据中心固...

QLC TLC 2020-08-05

紫光P5160 M.2高性能SSD上架：原厂原片颗粒

紫光已经推出了多款自己的SSD固态硬盘产品，消费级有SATA S100、M.2 P100等，企业级则有PCIe/U.2 P8260。今天，紫光悄然在京东商城上架了一款新的高性能M.2 SSD，型号为“P5160”，号称采...

固态硬盘 TLC 2020-01-16

长江存储64层3D闪存月产能有望在年底达到6万片：或明年上马128层

在被美日韩掌控的存储芯片市场上，终于有中国公司可以杀进去跟国际大厂正面竞争了。紫光旗下的长江存储（YMTC）于今年三季度官方宣布，开始量产64层堆栈3D闪存，容量256Gb，TLC芯片。外界预计，初期的月产能在5000片...

闪存 TLC 2019-10-24

带串行控制的10位模数转换器TLC1549在8051系统中的应用

TLC1549是美国德州仪器公司生产的10位模数转换器。它采用CMOS工艺，具有内在的采样和保持，采用差分基准电压高阻输入，抗干扰，可按比例量程校准转换范...

1549 8051 2018-09-12

一文解析SLC、MLC和TLC三者的区别

SLC、MLC和TLCOFweek电子工程网讯：X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)...

SLC MLC 2018-08-01

第一款纯国产SSD，紫光TLC性能有点小爆表

整个紫光TLC的表现还是相当不错的，我们的半导体产业正在稳步的前进。起码我么们现在的已经是从无到有，可以期待未来从有到强。...

紫光 TLC 2018-06-13

东芝存储器株式会社宣布推出96层3D闪存

　　存储器解决方案全球领导者东芝存储器株式会社今日宣布，公司已开发出采用堆叠式结构[1]的96层BiCS FLASH™三维(3D)闪存的原型样品，该产品采用三位元(三阶存储单元，TLC)技术。该96层新产品为2...

东芝 TLC 2017-07-11

具有高阻抗并行接口和内部基准电阻的TLC5510解析方案

1 TLC5510简介TLC5510是美国德州仪器(TI)公司的8位半闪速架构A/D转换器，采用CMOS工艺，大大减少比较器数。TLC5510最大可提供20 Ms/s的采样率，可广泛应用于高速数据转换、数字TV、医学图像...

TLC 高阻抗 2016-10-29

SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别

SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(...

SLC MLC 2016-10-15

MLC、TLC闪存价格下跌笔记本HDD硬盘死期不远了

SSD干掉HDD硬盘已经不是可能不可能的问题，只是时间长短的问题。...

TLC HDD 2016-05-30

2016年TLC储存成本或与SAS硬盘死亡交*

　　资料储存解决方案大厂NetApp表示，经由云端与Flash两股推力驱动，让近年IT基础架构进入新一波的转型期，其中2016年经由融合式基础架构(ConvergedInfrastructure)、DevOps(Deve...

TLC SAS 2016-03-21

TrendForce：经济前景未明，2016年全球NAND Flash产值增长有限

　　全球经济依旧前景不明，各项NAND Flash终端需求厂商态度相对保守，TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange调查显示，由于终端设备平均搭载量与固态硬盘(SSD)需求增长，2016年整体NAND ...

NAND Flash TLC 2015-12-16

慧荣科技受邀参加金泰克新产品发表会，携手发表最新TLC系列固态硬盘产品

　　在设计和推广固态存储设备专用NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)凭借其优异性能及高可靠度的产品设计，一直受到众多储存厂商的...

慧荣科技 TLC 2015-06-17

美光：3D TLC最快今年底实现

　　对于消费市场来说，成本永远都是令购买者最在意的一件事。日渐普及的SSD，当然也必须面对这样的市场声浪。TCL NAND目前已经是SSD降低成本的重要关键，当然，如何能让TLC架构在维持低成本的同时，还能兼具效能与稳定...

美光 TLC 2015-06-07

Marvell：控制器三大优势让TLC架构逼近MLC效能

　　传统的HDD机械式硬碟，由于机械式结构的复杂结构造成整体的不稳定性，加上读写速度始终存在着瓶颈，这些原因使得SSD逐渐有机会加速淘汰传统HDD硬碟，在更多领域发挥快速读写、稳定存取的优势。　　 ...

Marvell TLC 2015-06-05

SSD容量突破关键：3D存储芯片大揭秘

　　现在每一个闪存厂家都在向3D NAND技术发展，我们之前也报道过Intel 3D NAND的一些信息。昨天5月14日，Intel & Richmax举办了一场技术讲解会3D Nand Technical Wo...

SSD TLC 2015-05-19

TLC产品今年将接近NAND整体产出之五成

　　TrendForce旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 表示，随着 TLC 产品的主流应用开始从记忆卡与随身碟产品往 eMMC / eMCP 与 SSD 等OEM储存装置移动，加上 NAND Flash ...

TLC NAND 2015-03-23

性价比优势更明显　TLC NAND应用版图急扩张

　　三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash记忆体制造商制程技术突破，加上控制晶片与错误修正韧体效能大幅精进，使得三层式储存(TLC)NAND记忆体性价比较过去大幅提高，因而激励消费性固态硬碟制...

三星 TLC 2015-03-19

TLC存储器取得储存市场成长动能

　　三级单元(triple-level cell;TLC)快闪记忆体在进入客户端市场两年后，预计将进一步在资料中心获得动能。但长期来看，由于 3D NAND 逐渐取代，传统的 NAND 记忆体成长开始趋缓。　　截至目...

TLC 存储器 2015-01-16

NAND闪存穷途末路下一代闪存技术百花齐放

　　由于闪存技术的发展，闪存正从U盘、MP3走向电脑、存储阵列等更广泛的领域。虽然其速度较以往的机械硬盘有了较大幅度的提升，但纵观整个计算架构，闪存仍旧是计算系统中比较慢的部分。况且目前主流的MLC和TLC在写入寿命上都...

NAND MLC 2014-12-23

SSD价格快速下滑　普及化只剩时间问题

　　固态硬碟(SSD)价格正迅速下滑，3D NAND和TLC等SSD新技术逐渐扩散，带动储存容量扩大，并加速SSD大众化时代的来临。　　据ET News报导，SSD将形成半导体新市场，价格跌幅相当明显。外电引用市调机...

3D NAND SSD 2014-12-03

苹果停用TLC闪存回应iPhone 6宕机

　　11月9日，随着关于iPhone6+功能缺陷的争论高涨，苹果已决定停止使用TLC NAND闪存技术。据业内人士11月6日透露，苹果已经决定停用TLC NAND闪存技术。苹果认为，困扰64GB iPhone6和128...

苹果 iPhone 6 2014-11-11

探索TLC闪存寿命：区区1000次擦写循环

　　三星840系列固态硬盘开启了一个新时代，TLC NAND闪存首次用于消费级产品。关于这种闪存的原理、架构技术，以及三星840的性能、可靠性，我们都已经做了比较深入的介绍，今天再来看看TLC闪存本身的寿命问题。　　...

三星闪存 2012-11-21

基于CMOS工艺的高阻抗并行A/D芯片TLC5510

1　概述TLC5510是美国TI公司生产的新型模数转换器件(ADC)，它是一种采用CMOS工艺制造的8位高阻抗并行A/D芯片，能提供的最小采样率为20MSPS。由于TLC5510采用了半闪速结构及CMOS工艺，因而大大减...

CMOS 5510 2012-07-25

具有高阻抗并行接口和内部基准电阻的TLC5510解析方

5510 TLC 2012-06-25

英特尔与镁光开始出样25nm TLC闪存

　　英特尔今天宣布和镁光一起发布25nm TLC闪存的第一款样品，TLC(Trinary-Level Cell;TLC)，即3bit/cell，也就是1个内存储存单元可存放3位元。TLC速度慢，寿命短，但成本低，价格也较...

英特尔 25nm 2010-08-18

带串行控制的10位模数转换器TLC1549在8051系统中的

TLC1549是美国德州仪器公司生产的10位模数转换器。它采用CMOS工艺，具有内在的采样和保持，采用差分基准电压高阻输入，抗干扰，可按比例量程校准转换范围，总不可调整误差达到±1LSB Max（4.8mV）等特点。...

1549 8051 2009-06-15

20位Σ-Δ立体声ADA电路TLC320AD75C的接口电路设计

介绍了Σ-Δ型ADC和DAC的特点及构成，并详细论述了Σ-Δ型立体声ADA电路TLC320AD75C的模拟与数字音频数据接口技术、DAC的串行控制接口技术及该类器件的使用注意事项。...

ADA 320 2007-12-26

串行AD转换器TLC2543与51单片机的接口设计

介绍一种多通道高精度串行A/D转换器TLC2543的主要特点、工作原理，给出了TLC2543与51系列单片机的接口电路及驱动程序。...

2543 TLC 2007-06-19

基于TLC4502和MAX111的数据采集系统自校准技术

以TLC4502和MAX111为例介绍了自校准功能模块中运算放大器和A/D转换器的工作原理及使用方法...

4502 TLC 2004-12-07

单片机与串行AD转换器TLC0834的接口设计

TLC0834是TI公司生产的八位逐次逼近模数转换器，具有输入可配置的多通道多路器和串行输入方式。...

TLC 单片机 2004-12-07

TMPN3150与TLC0832的两种接口实现方法

根据神经元芯片TMPN3150的两种I/O模式，给出了该神经元芯片与A/D芯片TLC0832实现接口的两种不同方法。...

TMPN TLC 2004-12-07

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