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三星3纳米开始量产Exynos 2500

韩国媒体 Thebell 报道，三星开始量产新旗舰移动处理器Exynos 2500，晶圆测试最早3月开始，可能首发三星2025下半年入门级折叠手机Galaxy Z Flip FE。但3纳米GAA良率低问题仍在，...

三星 3纳米 2025-02-25

三星 Exynos 2500 芯片被曝使用硅电容

7 月 17 日消息，韩媒 bloter 于 7 月 15 日发布博文，爆料称三星计划在 Exynos 2500 芯片中使用硅电容。注：硅电容（Silicon Capacitor）通常采用 3 层结构（金属 / 绝缘体 ...

三星 Exynos 2500 2024-07-17

三星3nm取得突破性进展！Exynos 2500样品已达3.20GHz

7月14日消息，据媒体报道，三星3nm工艺的Exynos 2500芯片研发取得显著进展。Exynos 2500的工程样品已经实现了3.20GHz的高频运行，这一频率不仅超越了此前的预期，而且比苹果A15 Bionic更省...

三星 3nm 2024-07-15

曝三星3nm良率仅20%！但仍不放弃Exynos 2500

6月23日消息，据媒体报道，Exynos 2500的良品率目前仅为20%，远低于量产标准，但三星仍在积极寻求解决方案，以期在今年10月前将良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工艺的智能手机SoC...

三星 3nm 2024-06-24

消息称三星 3nm GAA 工艺试产失败，Exynos 2500 芯片被打上问号

2 月 2 日消息，根据韩媒 DealSite+ 报道，三星的 3nm GAA 生产工艺存在问题，尝试生产适用于 Galaxy S25 / S25+ 手机的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 ...

三星 3nm GAA 2024-02-02

电压高（120VP-P）的功率MOSFET放大器电路及工作原理

电路的能功要使放大后的波形与输入波形相似，放大电路必须采用对称电路，而且有源元件的特性要一致。本电路就是波形失真小的放大电路，各级均为推挽对称电路，可以获得上升边和下降边时间常数基本相等的脉冲响应以及...

MOSFET VP-P 2016-10-16

介绍音频分析仪测量问题

本内容介绍了7723音频分析仪测量问题，在测量时读数亮灭闪烁无法读取，仪器无法继续进行测量。1.VP......

音频分析仪 HPF 2012-09-08

与万用表结合使用的FET VP、VOO检验器电路

电路的功能场效晶体管漏极饱和电流IDSS和夹断电压VP等有很大差别，所以确定置偏很麻烦。虽然在生产厂已分了几种等级，但一个等级内仍有差别，如果在组装电路之前测量实际工作电流状态下的VP和VOS则比较方便。测量时，...

VOO 检验 2012-03-07

电压高（120VP-P）的功率MOSFET放大器电路及工作原

MOSFET VP-P 2012-02-21

可获得400VP-P输出的高电压增强器电路功能及原理

电路的功能OP放大器的输出振幅幅值为正负10~30V，需要数百伏幅值的静电激励器或压电器件就要使用专门的激励放大器，也有采用由耐高压晶体管组成的独立电路的。本电路主要应用OP放大器的直流特性，在OP放大器后面增加...

VP-P 400 2012-02-18

与万用表结合使用的FET VP、VOO检验器

VOO 检验 2010-06-01

电压高（120VP-P）的功率MOSFET放大器

MOSFET VP-P 2010-05-11

可获得400VP-P输出的高电压增强器

VP-P 400 2010-05-11

基于MSP430和CC2500的USB无线数据采集系统

摘要：设计基于MSP430单片机和CC2500无线收发器的USB无线数据采集系统，通过USB调试端口在IDE或CCE开发环境下编写、下载和调试应用程序，其目标板可作为一个独立的具有或没有外部传感器的系统。介绍基于MSP4...

2500 MSP 2010-04-12

Andigilog任命新的业务及行销副总裁和首席财务官

　　Andigilog芯片设计公司为了进入新市场及加速营运成长，宣布新的人事布局，任命Daniel Olson为业务及行销副总裁，并任命Gregory Teesdale为首席财务官。在这项人事案宣布的同时，该公司也已顺利...

Andigilog CFO 2007-05-11

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