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假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)是耗尽型器件，其漏源通道的电阻接近0 Ω。此特性使得这些器件可以在高开关频率下以高增益运行。然而，如果栅极和漏极偏置时序不正确，漏极沟道的高电导率可能会导致器件烧毁。本文探讨耗尽型pH...

pHEMT 放大器 2023-11-21

pHEMT 功率放大器 2023-11-13

ADI pHEMT 2023-10-30

低噪声放大器是接收机中最重要的模块之一，文中采用了低噪声、较高关联增益、PHEMT技术设计的ATF35176晶体管，设计了一种应用于5．5～6．5 GHz频段的低噪声放大器。为了获得较高的增益，该电路采用三级级联放大结...

低噪声放大器 ADS 2016-10-29

电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园...

宽带阻抗变换器 pHEMT 2013-10-15

在通信接收器中低噪声放大器(LNA)对于从噪声中析出信号十分关键。控制系统内噪声还有其他技术，包括过滤和低 ......

GaAs PHEMT 2012-02-11

智能手机代表了射频个人通信最前沿、也最具挑战性的射频产品设计之一。这些第三代(3G)蜂窝多模多频设备基于......

射频开关隔离度 2011-10-31

　　Hittite Microwave Corporation近日推出两款SMT封装GaAs pHEMT MMIC增益单元放大器，适用于频率在50-4GHz的汽车、宽带，CATV，蜂窝/3G，WiMAX/4G以及固定无线...

放大器 Hittite 2008-07-24

　　Hittite Microwave Corporation近日推出一个新款GaAs MMIC有源X2倍频器，从而使设计者可以实现频率覆盖22到46GHz的连续输出。这一器件在时钟发生器，点对点无线电、军事和航空、VS...

Hittite 倍频器 2008-07-24

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