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模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性

MOS晶体管表现出理想模型所没有的各种二阶效应。为了设计在现实世界中工作的模拟集成电路，我们需要了解这些非理想因素。在上一篇文章中，我们介绍了基本的MOSFET结构和工作区域。我们讨论的模型描绘了一个理想的MOSFET，...

MOSEFT 晶体管 2024-01-18

副边同步整流

问：如何提高隔离式电源的效率？答：在大多数降压调节器的典型应用中，使用有源开关而非肖特基二极管是标准做法。这样能大大提高转换效率，尤其是产生低输出电压时。在需要电流隔离的应用中，也可使用同步整流来提高转换效率。图1所示为...

MOSEFT 2021-01-25

推动更快、更安全、更高效EV充电器的技术

随着电动汽车（EV）数量的增加，对创建更加节能的充电基础设施系统的需求也在日益增长，如此便可更快地为车辆充电。与先前的电动汽车相比，新型电动汽车具有更高的行驶里程和更大的电池容量，因此需要开发快速直流充电解决方案以满足快...

EV SiC 2020-09-18

SiC MOSFET应用技术在雪崩条件下的鲁棒性评估

本文将探讨如何在雪崩工作条件下评估SiC MOSFET的鲁棒性。MOSFET功率变换器，特别是电动汽车驱动电机功率变换器，需要能够耐受一定的工作条件。如果器件在续流导通期间出现失效或栅极驱动命令信号错误，就会致使变换器...

MOSEFT VDS 2020-08-04

GaN 将能源效率推升至新高度

德州仪器(TI)是推动GaN开发和支持系统设计师采用这项新技术的领军企业。TI基于GaN的电源解决方案和参考设计，致力于帮助系统设计师节省空间、取得更高电源效率及简化设计流程。TI新颖的解决方案不仅可以优化性能，而且攻克...

MOSEFT GaN 2020-07-31

臻驱科技与罗姆成立碳化硅技术联合实验室

中国新能源汽车电驱动领域高科技公司臻驱科技（上海）有限公司（以下简称“臻驱科技”）与全球知名半导体厂商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）宣布在中国（上海）自由贸易区试验区临港新片区成立“碳化硅技术联合实验室...

MOSEFT SiC 2020-06-22

为汽车电子系统提供供电和保护，无开关噪声，效率高达99.9%

简介为汽车电子系统供电时，不但需要满足高可靠性要求，还需要应对相对不太稳定的电池电压，具有一定挑战性。与车辆电池连接的电子和机械系统具有差异性，可能导致标称12 V电源出现大幅电压偏移。事实上，在一定时间段内，12 V电...

SOA ECU 2020-06-18

使用碳化硅MOSFET提升工业驱动器的能源效率

本文将强调出无论就能源效率、散热片尺寸或节省成本方面来看,工业传动不用硅基(Si)绝缘栅双极电晶体(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些优点。摘要由于电动马达佔工业大部分的耗电量,工业传动的能源效率成为一大关键挑战。...

MOSEFT FWD 2020-06-04

艾睿电子推出集成双向电力转换器解决方案，推动电动汽车到电网技术发展

全球技术解决方案提供商艾睿电子近日发布了集成双向电力转换器解决方案，为电动汽车（EV）配备强大的移动充电器，提供高性能双向充电/放电技术，令电动汽车不但可以储存电力，并可将剩余的电能供应给住宅和电...

MOSEFT EV 2020-05-18

英飞凌新一代650V碳化硅MOSFET的性能和应用分析

2020年2月，碳化硅的领导厂商之一英飞凌祭出了650V CoolSiC™ MOSFET，带来了高性能和高功效。它是如何定义性能和应用场景的？下一步产品计划如何？碳化硅业的难点在哪里？为此，电子产品世界等媒体视频采访了英...

MOSEFT 碳化硅 2020-05-06

轻松驱动CoolSiC™ MOSFET：栅极驱动设计指南

由米勒电容引起的寄生导通效应，常被认为是当今碳化硅MOSFET应用的一大缺陷。为了避免这种效应，在硬开关变流器的栅极驱动设计中，通常采用负栅极电压关断。但是这对于CoolSiC™ MOSFET真的有必要吗？引言选择适当的...

MOSEFT 栅极电压 2020-04-27

东芝面向中大电流IGBT／MOSFET 推出内置保护功能的光耦

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出“TLP5231”，这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和MOSFET的预驱动光耦，适用于工业逆变器和光伏（PV）的功率调节系统。这款全新的预驱动光耦...

IGBT MOSEFT 2020-03-10

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