GaAs技术资讯-电子产品世界网

提高GaAs衬底上InAs量子阱的迁移率

德国的研究人员报告说，在分子束外延（MBE）期间使用的表面平滑技术提高了砷化铟（InAs）量子阱（QW）在砷化镓（GaAs）衬底上的迁移率，特别是在低于 120K 的低温下 [A. Aleksa...

GaAs InAs 2025-07-04

一款高三阶交调点的GaAs射频放大器

介绍了一款满足于5G通信发展要求，工作频率高增益，高线性度，高三阶交调点的射频放大器的设计。采用砷化镓异质结晶体管（GaAs HBT）工艺，基于达林顿结构进行设计。在原有结构基础上，添加了偏置结构，一方面提高了放大器工作...

202306 射频放大器 2023-07-06

一款应用于Wi-Fi 6E设备的GaAs HBT功率放大器

摘要：针对WIFI 6E频段的设备需求，设计了一款工作在5.9 GHz~7.2 GHz的宽带砷化镓异质结双极型晶体管（GaAs HBT）功率放大器。功率放大器为三级放大拓扑结构，采用自适应偏置电路结构解决HBT晶体管...

202206 功率放大器 2022-06-15

Strategy Analytics：蜂窝应用推动RF GaAs收益超8亿美元

　　在经历2016年相对平稳的一年之后，2017年RF GaAs设备市场收益增长了超过7%。尽管GaAs设备被应用在各种商业和国防应用中，但无线市场仍然是该技术的主要用户。移动手机将继续定义收益轨迹，但新兴的5G网络部...

RF GaAs 2018-10-30

半导体激光发生器技术及发展历程

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晶体管激光发生器 2017-06-13

ADI收购宽带GaAs和GaN放大器专业公司OneTree Microdevices

　　Analog Devices, Inc. 今日宣布收购位于美国加利福尼亚州Santa Rosa的OneTree Microdevices公司。ADI公司是业界领先的混合信号解决方案供应商，提供从数据转换器、时钟到控制...

ADI GaAs 2017-03-31

高通抢进GaAs制程PA市场稳懋顺利抢下代工大单

　　美国高通(Qualcomm)宣布推出一系列全面性的射频前端(RFFE)解决方案，包括首度推出砷化镓(GaAs)多模功率放大器(MMPA)模块，与首款支持载波聚合(Carrier Aggregation，CA)的动态天...

高通 GaAs 2017-03-15

石墨烯中的电子表现得像光一样甚至更好

　　由哥伦比亚大学物理学助理教授Cory Dean，弗吉尼亚大学电气和计算机工程教授Avik Ghosh以及哥伦比亚大学Wang Fong-Jen名誉工程教授James Hone领导的一个团队，第一次直接观察到了在电子通...

石墨烯 GaAs 2016-10-13

5G和军工双轮驱动化合物半导体业爆发

5G已经成为通信领域里的重点研究对象，5G 标淮引爆全球群英战，美国率先完成 5G 频谱分配，在 5G 标淮制定中谁掌握话语权，将会在新一代移动通信技术革命中占据先机。而随着2020年5G逐渐步入商用，使物联网逐渐成为现...

5G GaAs 2016-10-12

我国发展化合物半导体产业正当时

当前，全球半导体产业正处于深度变革，化合物半导体成为产业发展新的关注点，我国应加紧产业布局，抢占发展的主动权。...

GaAs GaN 2016-06-27

瑞典新兴公司宣布针对太阳能的纳米线突破技术具备可提高模組性能50％以上的潜力

　　瑞典隆德4月22日，在一项针对太阳能的重大突破技术上，瑞典的先进材料新兴公司Sol Voltaics AB已经证明其纳米线技术在薄膜上取得了校准和定向的成功。此项成就彰显太阳能纳米线制造迄今最重要...

GaAs 模組 2016-04-22

10W高线性802.11n功率放大芯片设计

本文介绍了一款用于无线局域网802.11n的10W功率放大芯片。该芯片具有高功率、高增益、高效率和高集成度的特点，并且使用方便。芯片采用GaAs HBT技术，芯片面积仅为10mm×10mm。功率放大器采用了热分流式结构，...

功率放大器 802.11n 2016-03-28

硅基GaN射频功放：正走向大规模商用

　　硅基GaN潜力大　　近日，MACOM在京召开新闻发布会，MACOM全球销售高级副总裁黄东铉语出惊人，“由MACOM发明的第四代GaN——硅基GaN，由于成本大为降低，将取代目前...

GaAs GaN 2015-11-09

2018年GaAs射频器件收入将飙升至80亿美元

　　根据StrategyAnalytics高端半导体应用(ASA)电子数据表模型和GaAs器件预测与前景展望报告显示，手机终端中砷化镓的应用仍然是GaAs器件增长的主要驱动力，GaAs器件市场继2014年创下射频器件收入...

GaAs 射频器 2015-10-13

高效率高谐波抑制功率放大器的设计

　　0 引言　　随着无线通信的快速发展和广泛普及，无线系统标准对收发机的性能要求越来越高。功率放大器作为发射机的主要组成部分，其指标决定着发射机的性能，如效率决定着整机功耗，线性度决定着整机的动态范围，谐波分量大小...

功率放大器 GaAs 2015-07-29

GaAs过时了 CMOS工艺将主宰移动互联网和物联网时代

　　“硅是上帝送给人类的礼物，整个芯片业几乎都拿到了这份礼物，无线通信领域应该尽快得到它。”RFaxis公司市场与应用工程副总裁钱永喜日前在接受媒体采访时如是说。他认为传统采用GaAs(砷化镓)或...

CMOS GaAs 2015-01-05

集成电路芯片热机械应力特征研究

　　摘要：本文在试验和理论两个方面，系统研究了芯片热机械应力特征。作者利用红外热成像技术研究了芯片内部热机械应力随工作电流的瞬态变化关系，发现芯片热机械应力随工作电流呈对数增长。同时本文利用有限元方法模拟计算了芯片热机械...

集成电路热机械应力 2014-10-28

一种可变增益功率放大器的应用设计

　　采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真，研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响。最终实现了在6~9GHz频率范围内，1 dB压缩点输出功率大于33 dBm,当控制电压在-1~0 V之间变化时，放大器的增...

功率放大器可变增益 2014-06-20

全面解读LED芯片知识

　　1、LED芯片的制造流程是怎样的? 　　LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极，并能满足可接触材料之间最小的压降及提供焊线的压垫，同时尽可能多地出光。渡膜工艺一般用真空蒸镀方法，其主要在1.33&ti...

LED GaAs 2014-04-17

RFaxis单芯/单模RF前端模块获Frost&Sulivan创新奖

　　全球领先的单芯/单模RF前端模块提供商RFaxis公司宣布，荣获北美Frost&Sullivan技术创新领导大奖。RFaxis致力于单芯/单模RF前端集成电路(RFeIC™)研发，推出独特的无线通信RF前端解决方案。...

RFaxis Frost&Sullivan 2014-03-06

数字射频存储器用GaAs超高速3bit相位体制ADC的设计与实现

电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园...

数字射频存储器 GaAs 2014-02-28

基于GaAs PIN二极管的宽带大功率单片单刀双掷开关

PIN二极管广泛应用于限幅器、开关、衰减器、移相器等控制电路中。与MESFET和PHEMT器件相比较，PIN二极管......

GaAs PIN 2013-06-24

超低噪声的S频段放大器设计

超低噪声 S频段 2012-09-14

一种基于MMIC技术的S波段GaAs单刀单掷开关

摘要：射频开关作为一个系统的重要组成部分其性能直接影响整个系统的指标和功能。其中插入损耗和隔离度以及开关速度是射频开关最重要的几个指标。在实际测试中，S波段脉冲信号源需要产生快前沿的窄脉冲信号。在此基于...

单刀单掷 2012-03-09

利用GaAs PHEMT设计MMIC LNA

在通信接收器中低噪声放大器(LNA)对于从噪声中析出信号十分关键。控制系统内噪声还有其他技术，包括过滤和低 ......

GaAs PHEMT 2012-02-11

无线基础设施被视为日益增长的砷化镓集成电路市场

根据市场战略研究公司Strategy Analytics分析：全球无线网络基础设施中使用砷化镓（GaAs）半导体的市场预计将增长，从2011年的大约2.05亿美元达到2015年约为3.2亿美元。...

无线网络 GaAs 2011-08-29

18 GHz移动通讯回程中MMIC放大器运用

为满足第四代数据传输服务的需要，无线通讯业已向LTE(长期演进)迅猛发展。虽然某些地区的不同标准将仍将......

MMIC放大器移动通讯回程 2011-06-09

设置时间不到20ns的GaAs pHEMT微波开关

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GaAs 微波 2011-01-21

砷化镓IDM厂调高财测　台系业者雨露均沾

　　随著下游需求回温，自2010年初以来，整体砷化镓 (GaAs)市场需求回升。而在TriQuint、Skyworks及RFMD等全球砷化镓IDM业者纷纷上调2010年度财测后，Avago也宣告调高 2010年2~4月的...

GaAs 晶圆代工 2010-04-27

高性能微波/毫米波GaAs器件提高3G/4G回程网络的速度和容量

　　数据通信量的增加正在成为回程网络的瓶颈　　近年来，宽带用户数量明显增加，并出现了大量手持移动互联网设备(MID)。数据和视频应用已超过话音(参见图1)，导致传输网络的需求量前所未有地急剧增长。市调专业机构ABIR...

TriQuint 3G 2010-03-02

NJR开发GaAs MMIC NJG1139UA2 适合于便携式数字电视

日本无线(NJR)现开发完成了GaAsMMICNJG1139UA2，并已开始供货了。该产品是设有旁通电路的宽带低噪音放大器，......

GaAs MMIC 2010-03-01

新日本无线开发完成了GaAs MMIC NJG1139UA2

　　新日本无线现开发完成了GaAs MMIC NJG1139UA2，并已开始供货了。该产品是设有旁通电路的宽带低噪音放大器，最适合于便携式数字电视。　　【开发背景】　　近年来，随着便携式设备和汽车导航仪等可接收地...

新日本无线放大器 2010-01-22

砷化镓产业恢复减慢未来市场规模将低预期

　　Strategy Analytics 砷化镓 (GaAs) 及化合物半导体研究部门发布最新报告“砷化镓 (GaAs) 行业预测 : 2008-2013”。分析指出，全球经济衰退造成砷化镓 (G...

GaAs 半导体 2009-08-28

砷化镓外延衬底市场规模将超过4亿美元

　　Strategy Analytics 发布最新年度预测报告“半绝缘砷化镓 (SI GaAs) 外延衬底市场预测2008-2013”。报告总结，2008年半绝缘砷化镓(SI GaAs)外延衬底市...

GaAs 外延衬底 2009-08-03

Strategy Analytics：VSAT 经受住经济风暴考验

　　Strategy Analytics 砷化镓及化合物半导体技术 (GaAs and Compound Semiconductor Technologies) 研究服务发布最新研究报告“来自 Satcom/VSAT 市...

GaAs 卫星通信 2009-07-10

DC～40 GHz反射型GaAs MMIC SPST开关

介绍了基于GaAs PHEMT工艺设计的一款宽带反射型MMIC SPST开关的相关技术，基于成熟的微波单片集成电路设计平台开展了宽带SPST开关设计。工作频率范围为DC~40 GHz，插入损耗≤0．8 dB，隔离度≥25...

GaAs MMIC 2009-04-20

带有旁通性能1SEG用宽带低噪声放大器GaAs MMIC NJG1129MD7现开始发放样品

新日本无线已开发完成了最适用于1SEG信号用调谐器模块的宽带低噪声放大器（下称LNA）GaAs MMIC NJG1129MD7，现开始样品供货。近年来，手机和车载导航等能接收1SEG信号产品在不断地增加，因终端...

新日本无线宽带低噪声放大器 2008-12-30

基于CAN总线的GaAs光电阴极制备测控系统

CAN总线在GaAs光电阴极制备测控系统中的应用成功的解决了系统测控信息量多，对可靠性和实时性要求高的难题，该测控系统的研制成功将有利于对GaAs光电阴极制备工艺进行深入的理论研究，促进提高GaAs光电阴极的制备水平，该...

阴极制备 2008-08-26

CMOS功率放大器厂商加紧挑战GaAs

CMOS 放大器 2008-08-14

Hittite推出SMT封装GaAs pHEMT MMIC增益单元放大器

　　Hittite Microwave Corporation近日推出两款SMT封装GaAs pHEMT MMIC增益单元放大器，适用于频率在50-4GHz的汽车、宽带，CATV，蜂窝/3G，WiMAX/4G以及固定无线...

放大器 Hittite 2008-07-24