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GAAFET

GAAFET是（Gate-all-around FETs）采用的是纳米线沟道设计，沟道整个外轮廓都被栅极完全包裹，代表栅极对沟道的控制性更好。相比之下，传统的FinFET 沟道仅3 面被栅极包围。GAAFET 架构的晶体管提供比FinFET 更好的静电特性，可满足某些栅极宽度的需求。这主要表现在同等尺寸结构下，GAA 的沟道控制能力强化，尺寸可以进一步微缩。

半导体「权力游戏」：GAAFET

北京大学团队研发出全球首款二维 GAAFET 晶体管，以铋材料突破接触电阻量子极限，开启后摩尔时代。这项成果在《自然》发表，实测性能超越国际巨头，二维堆叠技术使中国半导体站上 1 纳米制程竞争最前沿。近年来，随着半导体行...

GAAFET 2025-04-18

北大 "铋基芯片" 横空出世：硅时代，再见！

北京大学正大步迈入后硅时代与埃米级（Ångström）半导体领域。该校研究团队近日在《自然》杂志发表论文，宣布成功研制全球首颗二维低功耗全环绕栅场效应晶体管（GAAFET），这项由彭海林教授、邱晨光教授领衔的跨学科成果，...

北京大学 GAAFET 2025-03-14

摩尔定律“拯救者”？爆红的Chiplet究竟是一种什么技术

　　通用互连的Chiplet要真正实现可能还需要几年时间，但不管怎样，这代表了未来芯片发展的一个方向　　半导体产业链全线上涨之际，Chiplet概念引发市场热议。　　8月9日，Chiplet概念股在尾盘阶段经历资金的明显...

Chiplet GAAFET 2022-08-25

GAAFET，是什么技术？

美国计划禁止用于Gate-all-around GAA新技术制造芯片所必需的EDA软件出口到中国大陆，GAA（环绕栅极）是GAA FET，那么，什么是GAA FET（环绕栅极场效应晶体管）？数字芯片最基本单元是...

GAAFET EDA 2022-08-24

ST和GlobalFoundries在法国Crolles附近的新工厂联合推进FD-SOI

意法半导体(ST)和GlobalFoundries (GF)刚刚签署了一份谅解备忘录，将在意法半导体位于法国Crolles的现有晶圆厂旁边新建一座联合运营的300毫米半导体晶圆厂。新工厂将支持多种半导体技术和工艺节点，包...

FD-SOI GAAFET 2022-08-19

美国实施EDA软件禁令，中国或将错过下一代芯片技术

美国试图锁死中国下一代芯片技术注意，这里说的是下一代，是下一代！与现在的EDA软件无关，这项EDA软件的禁令只是针对GAA架构制程，这项工艺目前只有三星利用在了3nm的芯片生产上，而不出意外的话，台积电也会在今年量产同代...

EDA GAAFET 2022-08-19

美国对半导体产业链限制持续加码，中信证券：关注半导体材料国产化

来源：金融界　　新材料｜产业链限制再加码，关注半导体材料国产化　　近期美国对半导体产业链限制持续加码，凸显半导体国产化急迫性，短期看，在自主可控逻辑下，供应体系中的材料龙头企业有望充分受益，加速其在国内晶圆厂的产品导入速...

GAAFET EDA 2022-08-19

“美国断供EDA软件”事件剖析：对中国影响到底有多大？

8月12日，美国商务部工业和安全局（BIS）发布了临时最终规则。在规则中，对四种新兴和基础技术建立了新的出口管制，管制理由是国家安全。im间最终规则（IFR）指的是联邦机构发布的规则，在发布后生效，无需首先征求公众对规则...

EDA 美国 2022-08-16

美国断供这一软件，欲将中国芯片扼杀在“3纳米”

　美国对中国企业和机构断供工具软件有迹可循。　　▲7月28日，工作人员在2022全球数字经济大会展馆上介绍运用在交通、金融、能源等领域的人工智能加速芯片及系统。图/IC photo　　文 | 付伟　　...

美国 EDA 2022-08-16

美国EDA禁令：挥舞大棒远比绥靖政策威胁要大得多

对EDA产业来说，美国真要玩大棒政策，可能会适得其反，迫使日本、欧洲或者中国的EDA新公司快速抢占市场，严重影响三大EDA公司的全球统治力。...

美国EDA GAAFET 2022-08-16

美国全面卡死2nm？设计GAA技术芯片的EDA，不准卖到中国大陆

众所周知，三星在3nm芯片时，采用了GAAFET晶体管技术，这是相对于FinFET晶体管更先进的技术。GAAFET晶体管技术为何更先进？原因在于GAAFET提供比FinFET更好的静电特性，在同等尺寸结构下，GAA 的沟...

GAAFET EDA 2022-08-15

“芯片之母”遭殃！美国对中国封杀EDA：没这么简单

当地时间8月12日，美国商务部工业和安全局（BIS）在《联邦公报》中披露了一项新增的出口限制临时最终规则，涉及先进半导体、涡轮发动机等领域。该禁令对具有GAAFET（环绕栅极场效应晶体管）结构的集成电路所必需的EDA/E...

EDA GAAFET 2022-08-15

力拚台积电押宝3纳米GAAFET技术，三星3年内良率成关键

韩国媒体表示，韩国三星计划3年内创建GAAFET技术3纳米节点，成为芯片代工业界的游戏规则破坏者，追上全球芯片代工龙头台积电。《BusinessKorea》指出，GAAFET技术是新时代制程，改善半导体晶体管结构，使栅极...

三星 GAAFET 2022-08-15