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CSD86350Q5D

德州仪器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 电流下实现超过 90% 高效率的同步 MOSFET 半桥，其占位面积仅为同类竞争功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模块通过高级封装将 2 个非对称 NexFET 功率 MOSFET 进行完美整合，可为服务器、台式机与笔记本电脑、基站、交换机、路由器以及高电流负载点 (POL) 转换器等低电压同步降压半桥应用实现高性能。 NexFET 功率模块除提高效率与功率密度外，还能够以高达 1。5 MHz 的开关频率生成高达 40 A 的电流，可显著降低解决方案尺寸与成本。查看更多>>

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TI推出可在25A电流下实现超过90%高效率的同步MOSFET半桥

TI MOSFET 2010-06-18
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