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量子阱

　　量子阱是指由2种不同的半导体材料相间排列形成的、具有明显量子限制效应的电子或空穴的势阱。量子肼的最基本特征是，由于量子阱宽度(只有当阱宽尺度足够小时才能形成量子阱)的限制，导致载流子波函数在一维方向上的局域化。在由2种不同半导体材料薄层交替生长形成的多层结构中，如果势垒层足够厚，以致相邻势阱之间载流子波函数之间耦合很小，则多层结构将形成许多分离的量子阱，称为多量子阱。如果势垒层很薄，相邻阱之间的耦合很强，原来在各量子阱中分立的能级将扩展成能带(微带)，能带的宽度和位置与势阱的深度、宽度及势垒的厚度有关，这样的多层结构称为超晶格。查看更多>>

提高GaAs衬底上InAs量子阱的迁移率

德国的研究人员报告说，在分子束外延（MBE）期间使用的表面平滑技术提高了砷化铟（InAs）量子阱（QW）在砷化镓（GaAs）衬底上的迁移率，特别是在低于 120K 的低温下 [A. Aleksa...

GaAs InAs 2025-07-04

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