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迁移率

迁移率 在电场作用下，半导体中的载流子作定向漂移运动，由此形成的电流称为漂移电流。在电场强度不太大时，电子和空穴移动的速度（也称漂移速度）vn、vp与电场强度E成正比，可表示为 vn=－mnE 或vp=mpE 式中，mn为电子迁移率；mp为空穴迁移率。迁移率m是单位电场强度引起的载流子的平均漂移速度，其数值与半导体的材料、掺杂浓度、温度等有关。在室温300K时，硅材料的mn =0。查看更多>>

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