相变存储技术社区-电子产品世界网

　　11月10日，美国Science杂志以First Release的形式发表了西安交通大学与上海微系统与信息技术研究所的合作论文——Reducing the stochasticity of c...

相变存储 2017-11-12

　　日前，宁波时代全芯科技有限公司正式发布中国自主研发的第一款具有自主知识产权的55纳米相变存储技术，为中国半导体存储厂商在云计算和大数据时代开辟了一条自主创“芯”之路，结束了中国芯片存储技术长期依靠进口，彻底打破了中国...

55纳米相变存储 2014-01-03

　　11月28日，宁波时代全芯科技有限公司发布了自主研发的55纳米相变存储芯片，成为继韩国三星、美国美光之后，世界上第三家、中国第一家拥有相变存储技术自主知识产权的企业。业内人士认为这将有利于打破存储器芯片生产技术被国外...

芯片相变存储 2013-12-09

　　11月28日，宁波时代全芯科技有限公司在宁波现场发布了自主研发的55纳米相变存储芯片。这一成果的发布，使该公司成为继韩国三星、美国美光之后，世界上第三家、中国第一家拥有相变存储技术自主知识产权的企业，业内人士认为这将...

存储芯片相变存储 2013-12-03

　　相变存储技术看来终于要走出实验室，走向市场了。继Numonyx宣布出货Omneo系列相变存储芯片后，三星电子近日也宣布，推出全球首款多芯片封装(MCP)PRAM相变存储颗粒产品。　　相变存储属于非易失性存储技术，...

Numonyx 相变存储 2010-04-29

　　《IEEE Transactions on Magnetics》上最近发表了卡内基梅隆大学教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。师徒俩研究了13种非易失性存储技术，看它们到202...

NAND 闪存 2009-11-06

相变存储