VCesat技术社区-电子产品世界网

由于能源成本上升和人们积极应对全球变暖，电力电子设备的能源效率已经变得越来越重要。为了提升电力电子设备的能源效率，具有较低功率损耗的功率半导体器件技术是关键所在。在半导体器件中，功率损耗的降低可以改善...

VCESAT 1200V 2012-06-13

新型低VCEsat BJT技术为传统的平面MOSFET(电流介于500mA与5A之间的应用)提供了一种可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于设计人员设计出成本更低、更具竞争优势的产品。　　便携式产品(如手...

比较 MOSFET 2011-09-20

　　近年来，中功率双极晶体管在饱和电阻及功率选择范围方面的重大改进，极大地拓宽了此类器件的应用领域。恩智浦最新推出的SMD封装型中功率晶体管BISS 4充分展示了双极晶体管的技术优势，它在为开关应用带来大功率低损耗解决方...

双极晶体管晶体管架构 2010-10-23

　　恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶体管的前8种产品。该产品家族分成两种优化的分支：超低VCEsat晶体管以及高速开关晶体管。其电压范围为20 V -...

NXP 晶体管 2010-03-05

　　恩智浦半导体（由飞利浦创建的独立半导体公司）发布了最新一代低VCEsat晶体管，与普通晶体管相比，其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS（小信号击穿）晶体管具有超低饱和电压（1安培时低于60毫瓦）、高电路效率和更...

VCEsat 单片机 2007-04-02

VCesat