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在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳...

安森美 MOSFET 2024-03-19

本文将探讨如何在雪崩工作条件下评估SiC MOSFET的鲁棒性。MOSFET功率变换器，特别是电动汽车驱动电机功率变换器，需要能够耐受一定的工作条件。如果器件在续流导通期间出现失效或栅极驱动命令信号错误，就会致使变换器...

MOSEFT VDS 2020-08-04

　　在看到MOSFET数据表时，你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼，也一目了然，其它的一些参数会十分的含糊不清、模棱两可，而其它的某些参数自始至终就毫无用处(比如说：开关时间)。在这个即将开始的博文系列中，我们...

MOSFET UIS 2016-01-07

在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评...

解析能量 2012-02-18

解析能量 2010-05-07

在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评定这...

雪崩能量 2010-04-06

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