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如下图（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET关断时流经寄生电容Cds的瞬态充电电流流过基极电阻RB，导致寄生双极晶体管的基极和发射极之间产生电位差VBE，使寄生双极晶体管导通，引起短路并造成失效的现象。通常，dV/...

罗姆半导体 dv 2022-09-22

　　王定良（电子科技大学电子科学与工程学院，四川成都 610054）　　摘要：作为电机驱动电路的智能功率模块（IPM）正变得越来越重要，但是越来越快的开关速度，可能会引起IPM模块中的IGBT的误触发。另外，过高...

202002 IGBT 2020-01-16

数字信号主要的频率分量都位于它的转折频率以下。转折频率FKNEE与脉冲上升时间TR相关，而与传播延迟、时钟速率或转换频率无关：信号传播的整个路径，包...

DT DV 2018-09-11

高 di/dt 负载需要仔细考虑旁路问题以保持电源动态稳压。表面贴装电容需要非常靠近负载以最小化其互连电感。电容具有可能避免大量去耦的寄生电感。降低这一寄生电感的并联电容是有效的，但互连和互感减弱了这一效果。使用具有更短...

di/dt 德州仪器 2017-06-03

0°-180°移相器电路图...

0°-180° 移相器 2016-11-12

　　6年前，云计算创业“无人喝彩”。6年后的今天，阿里云已成长为全球领先的云计算服务平台，开始分享对于DT世界、云计算生态、数据保护以及未来核心技术等方向的判断。　　7月22日，首届阿里云分享...

阿里云 DT 2015-07-23

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