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英飞凌CoolSiC碳化硅MOSFET获丰田bZ4X车型采用

英飞凌宣布，其碳化硅功率半导体器件被丰田新款纯电动车型 bZ4X 选用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 将应用于该车的车载充电器（OBC）与直流 - 直流转换器（DC/DC）中。对于欧洲电子工程新闻网的读者而...

英飞凌 CoolSiC 2026-02-11

安森美T2PAK封装：破局热管理瓶颈重构高功率生态

在电动汽车、光伏储能、AI数据中心等领域迎来功率需求爆发式增长的当下，热管理已成为制约电源产品功率密度与效率提升的核心瓶颈。传统封装方案往往在散热性能与开关特性之间难以兼顾，行业迫切需要兼具创新结构与卓越性能的解决方案。...

202601 MOSFET 2026-02-03

栅极氧化层在SiC MOSFET设计中的重要作用

碳化硅功率半导体在光伏、充电、电动汽车等行业得到了广泛应用，其潜力毋庸置疑。然而，从当前高功率碳化硅MOSFET来看，仍存在一个难题：即如何实现平衡性能、鲁棒性、可靠性和易用性的设计。比导通电阻是衡量SiC MOSFET...

英飞凌 MOSFET 2026-01-27

碳化硅何以英飞凌？—— SiC MOSFET性能评价的真相

在碳化硅（SiC）技术的应用中，许多工程师对SiC的性能评价存在误解，尤其是关于“单位面积导通电阻（Rsp）”和“高温漂移”的问题。作为“碳化硅何以英飞凌”的系列文章，本文将继续为您揭开这些误区的真相（误区一见：碳化硅何...

英飞凌碳化硅 2026-01-27

onsemi 与 FORVIA HELLA 在汽车动力 MOSFET 领域进一步展开合作

Onsemi与FORVIA HELLA延续了长期的战略合作，正式签署了一项专注于下一代汽车动力MOSFET技术的新长期协议。该交易重点在于将Onsemi的PowerTrench T10 MOSFET应用于FORVIA H...

Onsemi FORVIA HELLA 2026-01-04

英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC MOSFET 650V G2，实现更高的功率密度

简介CoolSiC MOSFET G2 沟槽式 MOSFET 发挥碳化硅的性能优势，通过降低能量损耗来提高功率转换过程中的效率。将 SiC 性能提升到一个新水平，同时满足所有常见电源方案组合的最高质量标准： AC-DC、...

英飞凌 CoolSiC MOSFET 650V G2 2025-12-29

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07-16 永源微AP70H06NF-60VN-Channel增强模式MOSFET

芯美力科技|浏览：3337|回复：0| 芯美力科技 2025-07-16 11:03:43

07-15 永源微APJ14N65D-650VN-Channel增强模式MOSFET

芯美力科技|浏览：3059|回复：0| 芯美力科技 2025-07-15 15:28:08

07-04 永源微APM-AP1N50MI650VN通道增强模式MOSFET

芯美力科技|浏览：1990|回复：0| 芯美力科技 2025-07-04 09:47:18

02-10 超高压MOS在辅助电源上的应用

18752004270|浏览：1532|回复：1| xqh518 2025-02-17 19:24:26

01-05 降低MOSFET损耗同时提升EMI性能

tanfpga|浏览：1060|回复：2| Hope2022 2025-01-28 01:03:07

01-05 浅析MOSFET的UIS及雪崩能量

tanfpga|浏览：778|回复：0| tanfpga 2025-01-05 14:33:52

09-21 从原理的视角，一文彻底区分MOSMOSFETNMOSPMOSCMOS

tanfpga|浏览：532|回复：0| tanfpga 2024-09-21 10:38:32

08-31 MOSFET耗尽型和增强型两种类型原理介绍

tanfpga|浏览：457|回复：1| huan2220 2024-08-31 18:54:01

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MOSFET管的驱动电路设计资料总结

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