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假晶形高电子迁移率晶体管；赝高电子迁移率晶体管；假同晶高电子迁移率晶体管 PHEMTToppseudomorphic high-electron-mobility transistor 一种利用在砷化镓上生长的特殊外延层制造的射频砷化镓 (GaAs)功率晶体管，可以使其在用于蜂窝电话和射频调制解调器上时实现低电压、高效率。 。

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