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v-nand 文章 进入v-nand技术社区

ZigBee技术 无线传感器网络节点 MCl3192 LPC2138

  • 　　摘要 以Samsung NAND Flash器件K9F1208为例，对比NAND Flash和NOR Flash的异同;介绍大容量NAND Flash在uPSD3234A增强型单片机系统中的应用，完成了硬件接口设计和软件设计，并给出硬件连接图和部分程序代码。 　　关键词 NAND Flash uPSD3234A单片机嵌入式系统 　　1 NAND Flash和NOR Flash 　　闪存(Flash Memory)由于其具有非易失性、电可擦除性、可重复编程以及高密度、低功耗等特点，被广泛地应用于手
  • 关键字： NAND Flash uPSD3234A单片机嵌入式系统  

NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A上的应用

  • 以Samsung NAND Flash器件K9F1208为例，对比NAND Flash和NOR Flash的异同；介绍大容量NAND Flash在uPSD3234A增强型单片机系统中的应用，完成了硬件接口设计和软件设计，并给出硬件连接图和部分程序代码。
  • 关键字： K9F1208  Flash  3234A  NAND    

NAND Flash上均匀损耗与掉电恢复在线测试

  • 　　摘要 NAND Flash以其大容量、低价格等优势迅速成为嵌入式系统存储的新宠，因此其上的文件系统研究也日益广泛，本文简要介绍了常用的NAND Flash文件系统YAFFS，并针对YAFFS在均匀损耗和掉电恢复方面进行在线测试。在给出测试结果的同时，着重研究嵌入式软件测试方案和方法;对测试结果进行分析，并提出改进方案和适用环境。 　　关键词 NAND Flash 均匀损耗 软件测试 YAFFS 　　引 言 　　随着嵌入式技术在各种电子产品中的广泛应用，嵌入式系统中的数据存储和管理已经成为一个重要
  • 关键字： NAND Flash 均匀损耗 软件测试 YAFFS  

商刊：英特尔NAND闪存面临多重问题

  • 　　北京时间3月5日《商业周刊》文章指出，由于美国经济衰退导致电脑和消费电子产品销售增长减速，对英特尔的NAND闪存芯片业务的利润造成很大压力。 　　英特尔在2005年下半年宣布与美光科技组成合资公司，共同研发和生产一种名为NAND闪存的内存芯片，这种芯片被广泛应用于各种消费电子产品。两年多来，英特尔巧妙地避过了那些芯片的价格波动。 　　全球最大电脑芯片厂商英特尔在3月3日晚间宣布，它预计其第一季度毛利率将在54%左右，低于之前作出的56%的预期目标。主要原因在于：NAND闪存的价格低于预期水平。在第
  • 关键字： 英特尔 NAND  

NAND和NOR flash详解

  •            NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 　　
  • 关键字： NAND NOR flash   

分析师称NAND闪存市场可能再次面临崩溃

  • 　　在最近发生了产品种类短缺和平均销售价格走平之后，NAND闪存市场可能会再一次崩溃。 　　据Needham&Co.LLC公司位分析师EdwinMok称，全球最大的NAND闪存买主苹果计算机公司在12月和1月期间减少了三种类型NAND闪存芯片的采购。现在NAND闪存还没有杀手应用。这些因素都会对NAND闪存市场产生影响。 　　Mok称，苹果在2006年就曾采取过同样的减少采购的行动，导致了2006年1至9月NAND闪存芯片的供应量超过了需求的70%和价格的下降。 　　这位分析师称，虽然自从2
  • 关键字： NAND 闪存 芯片   

内存产业2008年再缠斗 战线不断扩大

  • 　　快闪内存产业的发展在2007年有点出乎各界意料，整个产业的高点反而是落在第一季底，第二、三季深受NAND Flash缺货所苦，大家的发展反而绑手绑脚，一路往下滑;2007下半年不但没有传统的消费性电子产品旺季出现，反而NAND Flash价格剧烈的忽上忽下，可说是一团混乱，终于2007年第四季面临了NAND Flash崩跌走势，虽然大家对于「寒流」来袭，都已有心理准备，但仍是不敢大意。 　　TRI观点： 　　2007年内存产业的变化多端，出乎大家的意料，然而其中影响甚巨的一个事件，就是Samsun
  • 关键字： 内存  NAND  Flash  MCU和嵌入式微处理器  

Gartner:08全球半导体设备开支将降9.9%

  • 　　据市场研究公司Gartner最新发表的研究报告称，2008年全球半导体设备开支预计将达到403亿美元，比2007年的448亿美元减少9.9%。 　　Gartner半导体生产事业部副总裁KlausRinnen称，2007年的特点是DRAM内存不顾供过于求的现实继续加大投资、NAND闪存开支增速减缓和代工厂商恢复开支的状况令人失望。在2008年，我们预计随着DRAM内存市场将纠正资本开支的长期错误，半导体主要设备市场的开支将减少。代工厂商开支增长速度减缓和由于担心美国经济衰退而采取的谨慎态度都是造成20
  • 关键字： 半导体  NAND  闪存  IC自动测试设备  ATE  

供大于求 明年NAND闪存市场难以复苏

  • 　　比特网(ChinaByte) 12月27日消息(羽人 编译) 据国外媒体报道，内存模块制造商消息人士称，NAND闪存市场仍将处于供大于求的局面，这不仅对现货市场造成了影响，而且还影响了12月份中下旬的产品合同价格。 　　12月份中下旬的8Gb MLC芯片的合同价格下降了13-25%，平均为3.48美元，而16Gb MLC芯片的价格下跌了21-25%，至6.52美元，而SLC芯片由于限制了的产量，价格没有出现大幅滑落。 　　NAND闪存合同价格的下降，主要是由于苹果每年战略性削减其12月份的NAND
  • 关键字： NAND  闪存市场  存储器  

NAND Flash进军NB/PC应用领域 借以扩大市占率

  • 　　拓墣产业研究所(Topology Research Institute)针对NAND Flash应用市场发表研究报告指出，2008年起，除了由原手持式消费电子产品将继续大量采用NAND Flash作为储存装置外，NAND Flash将通过NB与PC的采用，以混合式硬盘或固态硬盘(SSD)的产品型态，逐步扩大市场占有率，市场需求将从2007年的6.7%增长至15.3%。 　　拓墣表示，NAND Flash在过去几年快速扩充产品应用领域，从2004年产品应用比例最高的数码相机，到2006年MP3 Pla
  • 关键字： NAND  Flash  SSD  MCU和嵌入式微处理器  

iSuppli调低08年半导体预期

  • 　　市场研究机构iSuppli以全球经济不景气为由，调低了2008年全球半导体市场销售收入预期，不过对于整个市场形势仍持乐观态度。 　　据国外媒体报道，iSuppli的最新预期显示，2008年全球半导体销售收入将增至2914亿美元，较2007年2709亿美元(评估数据)增长7.5%，而iSuppli今年9月份预测的增幅为9.3%，预期增幅减少了1.8个百分点。 　　iSuppli表示，2008年半导体市场将受到了能源成本上升的不利影响，美国经济2008年的预期并不乐观，而美国经济的影响力自然会波及全球
  • 关键字： 半导体  芯片  NAND  半导体材料  

东芝推出首个对应多值技术的大容量NAND闪存

  • 　　东芝今天宣布即将推出搭载世界上首个对应多值技术的大容量NAND闪存(多值NAND)的行业内最大级别128Gb的SSD(Solid State Drive：固态硬盘)产品，主要用于计算机。计划2008年第一季度出货，并同时开始量产。在此之前，东芝将于明年1月7日-10日在美国拉斯维加斯召开的世界最大规模的家电展中亮相该新产品。 　　目前的SSD，采用高速双值NAND闪存，和HDD相比，高速、体积轻，但也存在容量小、成本高的问题，目前还没有真正普及。因此，搭载可以提高每个器件容量的普及型多值NAND的S
  • 关键字： 嵌入式系统  单片机  东芝  NAND  闪存  

DRAM市场基础继续恶化 预计08年资本开支下滑超过30%

  • 　　Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析师Mehdi Hosseini日前表示，“根据三星日前的报告，我们分析2008年上半年DRAM内存市场基础继续恶化，大多数DRAM供应商，尤其韩国之外的厂商2008年资本开支出现大幅削减。” 　　预计2008年，DRAM领域的资本开支将下滑超过30%，原来预计下降20%。这将导致总体内存资本开支减少10-12%。 　　在DRAM市场经历了漫长的低迷之后，该市场仍然存在严重的供过于求情况。“这主要由于按容量计
  • 关键字： 嵌入式系统  单片机  DRAM  三星  NAND  EDA  IC设计  

各类器件增长强劲 出货量增长率预测调高

  • 　　据市场调研公司ICInsights，2007年IC单位出货量有望增长10%。该公司先前的预测是增长8%。 　　ICInsights将调高增长率预测归因于以下器件的出货量强劲增长：DRAM(上升49%)、NAND闪存(上升38%)、接口IC(增长60%)、数据转换IC(上升58%)和汽车相关的模拟IC(上升32%)。 　　ICInsights表示，如果2007年IC单位出货量增长率达到10%或者更高水平，将是连续第六年以两位数的速度增长，创下前所未有的强劲增长纪录。 　　ICInsights认为，
  • 关键字： NAND  闪存  IC  元件  制造  

内存芯片厂商提出新设计欲破摩尔定律

  • 　　很多厂商都设计出了未来的闪存技术，但谁能够首先推出产品呢? 　　Spansion表示，其MirrorBit和Ornand闪存芯片的基础是电荷捕获技术，这一技术为闪存产业继续缩小芯片尺寸、提高闪存芯片性能提供了一条途径。 　　Spansion CEO伯特兰向CNET News.com表示，Spansion已经生产出了采用电荷捕获技术的闪存芯片。Spansion已经启动了一项营销活动，希望向其它制造商许可一些技术。 　　伯特兰说，三星、东芝、Hynix公开表示对电荷捕获技术有很大的兴趣。我们拥有这一
  • 关键字： 闪存  芯片  NAND  存储器  
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