全球代工巨头格罗方德(GF)在成都落子，与成都市政府合资建12英寸生产线，GF占51%，并引入中国半导体业非常有兴趣的22FDX(FD-SOI)技术。
“格芯”之所以引起业界关注有两点：
1)与厦门的”联芯”一样是合资企业，它不同于之前英特尔、海力士、三星及台积电的独资模式;
2)导入SOI技术，目前计划是2018年开始成熟制程量产，以及2019年是22纳米的FD-SOI技术量产。
为什么SOI技术对于中国是个亮点?
在摩尔
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SOI 格芯
近日格罗方德12英寸晶圆厂落户中国成都引起业界关注，为何?因为FD-SOI技术。
众所周知，当栅极长度逼近20nm大关时，对电流控制能力急剧下降，漏电率相应提高。FinFET与FD-SOI恰是半导体微缩时代续命的高招。
尽管FinFET与FD-SOI师出同门，但是，两者却被“阵营化”，FinFET阵营占据绝对优势。格罗方德是为数不多的FD-SOI技术坚守与推动者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格罗方德12英寸晶圆厂能给出答案。
今天我们就来谈谈Fi
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FinFET FD-SOI
中国半导体业发展可能关键不在于方向在那里?而是确定方向之后，如何踏实去干，去解决一个一个难题。任何进步没有捷径，其中骨干企业的责任尤为重要。
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SOI finFET
在今年，业界对FD-SOI的讨论终于从理论性的制程技术比较，转移到由产品与应用所决定的技术竞争。
因为没有可见的终端产品能证明其号称超低功耗的特色，全空乏绝缘上覆矽(fully Depleted Silicon On Insulator，FD-SOI)制程一直得努力克服半导体产业界许多工程师的质疑，例如：该技术的好处在哪?在商业市场上有实际产品吗?它真正的优势何在?
终于，现在有实际产品可以做为FD-SOI制程的实证──是一只中国智慧型手机品牌业者小米(Xiaomi)副品牌华米(Huami
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智能手表 FD-SOI
日前在上海举办的“RF-SOI研讨会”上，SOI产业联盟称，RF-SOI生态系统现已建立完善，并成为天线调谐器与射频开关的主流技术，占据了95%的市场份额，该系统有利于IoT连接和5G的发展，为了更深层地与射频前端器件结合，RF-SOI这种突破型技术还需要更多的创新和突破性的方案。
目前，RF-SOI技术主要应用于智能手机、WiFi等无线通讯领域，具有性能高、成本低等优势。上海新傲科技股份有限公司总经理王庆宇称，国际上3G/4G手机用的射频器件
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RF-SOI 5G
格罗方德9月8日发布12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM，实现了业内首个多节点FD-SOI路线图。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基础之上，12FDXTM提供全节点缩放和超低功耗，并通过软件控制实现按需定制性能，专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、无人驾驶汽车等各类应用智能系统而设计。
随着数以百万计的互联设备出现，世界正在逐步融合为一体，众多新兴的应用也不断要求着半导体的进一步创新。用于实现这些应用的芯片正逐渐演进为微系统，集成包括无线连接、非易失性存
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格罗方德 FD-SOI
格罗方德半导体今日发布了全新的12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM，实现了业内首个多节点FD-SOI路线图，从而延续了其领先地位。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基础之上，专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、无人驾驶汽车等各类应用智能系统而设计。
随着数以百万计的互联设备出现，世界正在逐步融合为一体，众多新兴的应用也不断要求着半导体的进一步创新。用于实现这些应用的芯片正逐渐演进为微系统，集成包括无线连接、非易失性存储器以及电源管理等在内的越来越多的组件，
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格罗方德 FD-SOI
格罗方德半导体今日宣布一项全新合作伙伴计划FDXcelerator™，该生态系统旨在为客户加速基于22FDX™的片上系统设计，并缩短产品上市时间。
随着公司新一代12FDX™的发布，格罗方德现提供业内首个FD-SOI 路线图，并随之建立了FDXcelerator™合作伙伴计划，为希望实现先进节点设计的客户提供了一条低成本的迁移路径。
通过格罗方德半导体和FDXcelerator合作伙伴解决方案，客户将能打造各类创新的22FDX 片上系统解决方
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格罗方德 FD-SOI
Samsung Foundry准备开始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快闪记忆体嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。
三星晶圆代工业务(Samsung Foundry)准备开始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快闪记忆体，做为嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。
Samsung Foundry行销暨业务开发负责人Kelvin Low在接受EE Times欧洲版访问时表示，该
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FD-SOI 存储器
产业资深顾问Handel Jones认为，半导体业者应该尽速转移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程，利用该技术的众多优势…
半 导体与电子产业正努力适应制程节点微缩至28奈米以下之后的闸成本(gate cost)上扬;如下图所示，在制程微缩同时，每单位面积的逻辑闸或电晶体数量持续增加，其速率高于晶圆片成本增加的速率。在另一方面，当制程特征尺寸缩 减时，晶片系统性与参数性良率会降低，带来较高的闸成本。
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FD-SOI 14nm
Globalfoundries技术长GaryPatton透露，其22FDX全空乏绝缘上覆矽(FD-SOI)制程技术可望今年稍晚上市，而目前该公司正在开发后续制程。
晶圆代工业者Globalfoundries技术长GaryPatton透露，其22FDX全空乏绝缘上覆矽(fully-depletedsilicon-on-insulator，FD-SOI)制程技术可望今年稍晚上市，而目前该公司正在开发后续制程。
Globalfoundries声称其针对不同应用最佳化的22FDX平台四种制程，能提
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Globalfoundries FD-SOI
今天的智能手机和平板电脑内均装有射频(RF)前端模块(FEM)，一般包括功率放大器(PA)、开关、可调谐电容器和过滤器。射频绝缘体上硅(RF SOI)等技术可支持移动设备调整和获取蜂窝信号——在更广泛的区域为无线设备提供持续强劲且清晰的网络连接。 移动市场对RF SOI的追捧持续升温，因为它以高性价比实现了低插入损耗，在广泛的频段内实现低谐波和高线性度。RF SOI是一个双赢的技术选择，能够提高智能手机和平板电脑的性能和数据传输速度，同时有望在物联网中发挥关键作用。
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RF-SOI 5G
全耗尽型绝缘上覆矽(FD-SOI)制程技术正从原本的“迟到”(too-late)位置摇身一变，成为可望在物联网(IoT)与汽车市场取代鳍式场效电晶体(FinFET)的理想替代方案了。对于许多人来说，业界主导厂商代表出席一场相关领域的业界活动，象征着为这项技术背书。
“我认为，FD-SOI正蓄势待发。也许还得经过几年的时间，但它终将获得新的动能，并发展成为一项关键技术，”International Business Strategies (IBS)创
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FD-SOI FinFET
身为一位记者，我发现撰写有关于“热门”公司、技术与人物的报导，要比我通常负责的技术主题容易得多;一旦我写了那些“时髦”的标题，我会确实感受到人气飙涨。
因 为几乎每家媒体都穷追不舍，我不需要向读者解释为何我要写那些，以及那些新闻为何对他们重要;我马上想到的是美国总统候选人川普(Donald Trump)、苹果(Apple)还有FinFET。而相反的，要写冷门题材、比较少人讨论的话题，挑战性就高得多;部分读者会有先入为主的看法，认为那 些题目不关他们
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FD-SOI FinFET
本文介绍了Soitec半导体公司的全耗尽绝缘硅(FD-SOI)的特点、最新进展及其生态系统，并将FD-SOI与FinFET作比较，分析了各自的优势、应用领域和应用前景。
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FD-SOI FinFET 制造 201604
soi介绍
SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅）技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势，因此可以说SO [
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