电源与能源管理对人类社会未来的永续发展至关重要。意法半导体汽车和离散组件产品部（ADG）执行副总裁暨功率晶体管事业部总经理Edoardo MERLI指出，由于全球能源需求正在不断成长，我们必须控制碳排放，并将气温上升控制在1.5度以下，减排对此非常重要，但要实现这些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST对此也有制定一些具体的目标。 意法半导体汽车和离散组件产品部（ADG）执行副总裁暨功率晶体管事业部总经理Edoardo MERLI仅就工业领域来说，如果能将电力利用效率提升1%，就能节省95.
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ST GaN SiC
搭配电动车市场的快速成长，近年环旭电子（上海证券交易所股票代码: 601231）开始布局切入功率半导体国际大厂的电源模块的组装生产与测试，近期获得相当多欧美与日系客户青睐，预计在2022正式量产电动车用逆变器(Inverter)使用的IGBT与SiC电源模块。根据调研机构Canalys的报告指出，2021年上半年全球电动车销量为260万辆，与去年同期相比大幅成长160%，成长率远高于全球整体汽车市场的26%。电动汽车市场成长带动关键功率半导体组件和模块需求，其中第三代半导体拥有高效低耗能、高频、高功率、高
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环旭电子 电动车用逆变器 IGBT SiC 电源模块
搭配电动车市场的快速成长，近年环旭电子（上海证券交易所股票代码: 601231）开始布局切入功率半导体国际大厂的电源模块的组装生产与测试，近期获得相当多欧美与日系客户青睐，预计在2022正式量产电动车用逆变器(Inverter)使用的IGBT与SiC电源模块。根据调研机构Canalys的报告指出，2021年上半年全球电动车销量为260万辆，与去年同期相比大幅成长160%，成长率远高于全球整体汽车市场的26%。电动汽车市场成长带动关键功率半导体组件和模块需求，其中第三代半导体拥有高效低耗能、高频、高功率、高
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环旭电子 电动车用逆变器 IGBT SiC 电源模块
基础半导体元器件领域的专家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管，正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措，旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。 Nexperia的首款SiC肖特基二极管为工业级器件，重复反向峰值电压为650V(VRRM)，持续正向电流为10A(IF)，旨在为功率转换应用实现超高性能、高效率、低损耗。以及兼容高压的具有更高爬电距离的纯双引脚(R2P)封装，使该系列
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Nexperia 碳化硅 SiC 二极管
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo®,Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今天宣布，已收购位于新泽西州普林斯顿领先碳化硅（SiC）功率半导体供应商UnitedSiC公司。对UnitedSiC的收购扩大了Qorvo在快速增长的电动汽车（EV）、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源市场的影响力。UnitedSiC公司将成为Qorvo基础设施和国防产品（IDP）业务之一，将由Chris Dries博士领导，他曾是UnitedSiC公司的总裁兼首席执行官，现任Qorv
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SiC 电源
恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布其CAN信号质量提升（SIC）技术已用于TJA146x收发器系列中，并已经成功应用到长安汽车最新的平台中。恩智浦的CAN SIC技术有效提升了CAN信号质量，使CAN FD网络能够在更大型复杂网络中运行，实现更快的数据传输速率。这项经济高效的技术能够扩展CAN FD的潜力和灵活性，从而应对下一代汽车的网络挑战。中国汽车制造商长安汽车是第一家在生产中采用恩智浦的CAN SIC技术的汽车客户。● 长安汽车成为第一家采
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OEM SiC
碳化硅具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特点，可以很好地满足新能源汽车电动化发展趋势，引领和加速了汽车电动化进程，对新能源汽车发展具有重要意义。我国新能源汽车正处于市场导入期到产业成长期过渡的关键阶段，汽车产销量、保有量连续6年居世界首位，在全球产业体系当中占了举足轻重的地位。新能源汽车产业的飞速发展，极大地推动了碳化硅产业发展与技术创新，为碳化硅产品的技术验证和更新迭代提供了大量数据样本。
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碳化硅 新能源汽车 功率半导体 202110 MOSFET SiC
以GaN和SiC为代表第三代半导体正处于高速发展的阶段，Si和GaAs等第一、二代半导体材料也仍在产业中大规模应用。但不可否认，第三代半导体确实具有更多的性能优势。
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碳化硅 SiC 氮化镓 GaN 宽禁带 WBG
近年随着电动汽车产业崛起，碳化硅（SiC）功率半导体市场需求激增，吸引产业链相关企业的关注，国际间碳化硅(SiC)晶圆的开发驱使SiC争夺战正一触即发。与硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更宽的能带隙(energy bandgap，Eg)的半导体；再者，碳化硅具有更高的击穿电场 (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率组件应用之电子电路的材料，因为用碳化硅制成的芯片即使厚度相对小也能够经受得起相对高的电压。表一分别示出了硅和碳化硅的能带隙(Eg)、击穿电场(Ec)和电
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意法半导体 Norstel AB 碳化硅 SiC
半导体材料是信息技术的核心基础材料，一代材料、一代技术、一代产业，半个多世纪来从基础技术层面支撑了信息技术翻天覆地的变化，推动了电子信息科技产业可持续蓬勃发展。同样地，信息技术和电子信息科技产业发展需求又驱动了半导体材料与技术的发展。第三代半导体材料及其应用第三代半导体是指以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体材料，它是继20世纪50年代以Ge、Si为代表的第一代半导体和70年代以GaAs、InP为代表的第二代半导体之后于90年代发展起来的新型宽禁带半导体材料，即禁带宽度明显大于Si（1.12 eV）和Ga
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第三代半导体 SiC
1 汽车电气化的趋势和挑战汽车市场中与电气化相关的应用是减少交通碳排放影响的关键因素。中国领导人在2020年9 月提出中国要在2030年碳达峰，2060 年实现碳中和的目标。为了实现碳中和，减少能源使用中的碳排放是其中的重要一环。电能是清洁、高效的能源品种，用电能作为主要的能源消耗可以大幅减少碳排放。同时也要发展低排放的清洁能源作为主要发电的能源。中国交通运输行业碳排放占比达10%，而公路运输占其中的74%，主要来自燃油车的排放。因此，发展电动汽车并逐渐从燃油车过渡到电动汽车对减少
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202108 SiC BMS
未来的汽车将是清洁和安全的汽车，由先进的汽车功能电子化和自动驾驶技术赋能。安森美半导体汽车战略及业务拓展副总裁 Joseph Notaro1 功率器件赋能电动汽车电动车可帮助实现零排放，其市场发展是令人兴奋和充满生机的，随着电动车销售不断增长，必须推出满足驾驶员需求的基础设施，以提供一个快速充电站网络，使他们能够快速完成行程，而没有“续航里程焦虑症”。这一领域的要求正在迅速发展，需要超过350 kW 的功率水平和95% 的能效成为“常规”。鉴于这些充电桩部署在不同的环境和地点，紧凑
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202108 SiC 汽车 OBC
1 关注关键应用的节能减排安森美半导体提供所有应用的电力电子解决方案，也专注于一些关键应用，包括能源基础设施（太阳能转换、储能、电动车充电站/ 桩）、工业、云计算和5G 基础设施。这些市场都有其独特的技术挑战。这些挑战由相同因素的不同组合驱动：提高能效、减小尺寸和质量以及优化系统成本或拥有成本。例如太阳能转换，从集中式逆变器到组串式逆变器的转变消除了逆变器的单点故障风险。如果一个组串式逆变器停止工作，仍可用其他组串来发电。它还有个额外的好处，就是能对较少量的面板进行最大功率点追踪。
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202107 SiC
图腾柱PFC电路能显著改善交流输入转换器的效率，但是主流半导体开关技术的局限性使其不能发挥全部潜力。不过，SiC FET能突破这些局限性。本文介绍了如何在数千瓦电压下实现99.3%以上的效率。正文交流输入电源的设计师必须竭力满足许多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他们通常需要进行权衡取舍，一个好例子是既要求达到服务器电源的“钛”标准等能效目标，又要用功率因素校正（PFC）将线路谐波发射保持在低水平，以帮助电网可靠高效地运行。在大部分情况下，会通过升压转换器部分实施PFC，升压转换器会将整流后
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SiC FET PFC
近些年，随着电动汽车以及其他系统的增长，碳化硅（SiC）功率半导体市场正在经历需求的突然激增，因此也吸引了产业链相关企业的关注。在产业应用进一步成熟的趋势下，SiC的争夺战正一触即发。碳化硅材料之殇SiC器件成本高的一大原因就是SiC衬底贵，目前，衬底成本大约是加工晶片的50%，外延片是25%，器件晶圆生产环节20%，封装测试环节5%。SiC衬底不止贵，生产工艺还复杂，与硅相比，碳化硅很难处理、研磨和锯切，挑战非常大。所以大多数企业都是从Cree、Rohm等供应商购买衬底。SiC器件广泛用于光伏逆变器、工
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SiC 功率半导体
sic介绍
SiC是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或β－SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目；另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有6H、4H、15R等，统称为α－SiC。与Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境，并具有极好的抗辐射性能.
Si [
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