- 随着功率需求增加以便为高密度嵌入式DC-DC电源提供更多的功能，电源工程师面临着在较小的线路板空间提供更高功率密度和更高效率的挑战。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低侧高双功率芯片非对称N沟道模块 FDPC8011S，帮助设计人员应对这一系统挑战。
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飞兆 MOSFET FDPC8011S N沟道
- 新型纯控制器降压LED驱动器成本优势明显、效率傲视群雄
中国上海，2012年5月7日讯 —— 恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.(NASDAQ：NXPI)今天宣布推出SSL2109，该款高效降压控制器面向采用非隔离式拓扑结构的高功率非调光型LED照明应用。SSL2109 LED驱动器IC与外部功率开关一同使用，为100V、120V和230V电源输入电压和最高25 W的功率范围提供了单一的设计平台。SSL2109提供了广受欢迎的SSL2108x系列的
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恩智浦 MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。这四款器件皆采用了新型高密度设计，在4.5V下导通电阻低至1.35mΩ，Miller电荷Qgd低至1.8nC，采用PowerPAK® SO-8和1212-8封装。
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Vishay MOSFET
- 在现今的汽车应用中，设计人员需要把大电流可靠和安全地引流到接地的阻性或感性负载，这类应用包括：白炽灯、电机控制和加热器件等。现在要实现这一目的，设计人员不得不依赖分立式或机电式解决方案，或是受制于市场上数量有限的解决方案。
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飞兆 MOSFET F085A
- TRIFIA 2012年清华-罗姆国际产学连携论坛于4月28日在清华罗姆电子馆召开，来自清华的教授跟与会者分享了与罗姆合作以来在某些领域取得的成果以及一些教学科研经验。会后，罗姆株式会社常务董事高须秀视先生和清华电子工程系系主任王希勤教授接受了采访，我们了解到了更多罗姆和清华在产学研方面的相关合作。
以“罗姆”命名清华楼，并无排他性
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罗姆 SiC
- 与SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的beta;-Ga2O3晶体管。下面请这些研究小组的技术人员，以论
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SiC 讲座 功率元件 氧化镓
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，该公司的SiZ710DT 20 V n沟道PowerPAIR®功率MOSFET荣获功率器件/电压转换器类别的2012中国年度电子成就奖。
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Vishay MOSFET 转换器
- 在电源系统中，MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号，以便以最快的速度打开和...
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MOSFET 驱动器 电源性能
- 工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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MOSFET 车用 保护 性能
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列采用TSOP-6封装、搭载IR最新低压HEXFET MOSFET硅技术的器件，适用于电池保护与逆变器开关中的负载开关、充电和放电开关等低功率应用。
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IR MOSFET
- 基板成本也较低采用β-Ga2O3制作基板时，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
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氧化镓 SiC 功率元件 MOSFET LED
- 与SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源...
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SiC 功率元件 GaN 导通电阻
- 在电源设计小贴士 #42 中，我们讨论了 MOSFET 栅极驱动电路中使用的发射器跟踪器，并且了解到利用小型 SOT-23 晶体管便可以实现 2A 范围的驱动电流。在本设计小贴士中，我们来了解一下自驱动同整流器并探讨何时需要分
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MOSFET 驱动器 卓越 解决方案 集成 替代 设计 分立 器件
- 在电源设计小贴士#42中，我们讨论了MOSFET栅极驱动电路中使用的发射器跟踪器，并且了解到利用小型SOT-23晶体管...
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电源设计 分立器件 MOSFET
- 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技公司(Infineon Technologies)日前宣布已就英飞凌的H-PSOF (带散热片的小外形扁平引脚塑料封装) 先进汽车MOSFET封装技术达成许可协议。H-PSOF是符合JEDEC标准的TO无铅(TO-LL) 封装 (MO-299)。
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飞兆 英飞凌 MOSFET
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