SiC在电源转换器的尺寸、重量和/或能效等方面具有优势。当然，要进行大批量生产，逆变器除了静态和动态性能之外，还必须具备适当的可靠性，以及足够的阈值电压和以应用为导向的短路耐受能力等。可与IGBT兼容的VGS=15V导通驱动电压，以便从IGBT轻松改用SiC MOSFET解决方案。英飞凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可满足这些要求。
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电源转换器 SiC MOSFET 逆变器 201707
全球出现的能源短缺问题使各国政府都开始大力推行节能新政。电子产品的能耗标准越来越严格，对于电源设计工程师，如何设计更高效率、更高性能的电源是一个永恒的挑战。本文从电源PCB的布局出发。
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电源模块性能 PCB布局技术 MOSFET
实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管
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三极管 MOSFET
“MOSFET(场效应管)”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(场效应管)(Power MOSFET(场效应管))是指它能输出较大的工作电流
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功率MOSFET MOSFET
在本设计小贴士中，我们来了解一下自驱动同整流器并探讨何时需要分立驱动器来保护同步整流器栅极免受过高电压带来的损坏。理想情况下，您可以利用电源变压器直接驱动同步整流器，但是由于宽泛的输入电压变量，变压器电压会变得很高以至于可能会损坏同步整流器。
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分立器件 MOSFET 同步整流器 电源设计小贴士
分立器件可以帮助您节约成本。价值大约 0.04 美元的分立器件可以将驱动器 IC 成本降低 10 倍。分立驱动器可提供超过2A 的电流并且可以使您从控制 IC 中获得电力。此外，该器件还可去除控制 IC 中的高开关电流，从而提高稳压和噪声性能。
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德州仪器 分立器件 MOSFET 电源设计小贴士
即使是在插入和拔出电路板和卡进行维修或者调整容量时，任务关键的伺服器和通信设备也必须能够不间断工作。热插拔控制器 IC 通过软启动电源，支持从正在工作的系统中插入或移除电路板，从而避免了出现连接火花、背板供电干扰和电路板卡复位等问题。控制器 IC 驱动与插入电路板之电源相串联的功率 MOSFET 开关 (图 1)。电路板插入后，MOSFE
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安全工作区 MOSFET LTC4233 热插拔 热插拔控制器
在本《电源设计小贴士》中，我们将最终对一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法进行研究。在《电源设计小贴士28》中，我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。根据系统组件的物理属性，计算得到热阻和热容。遍及整个网络的各种电压代表各个温度。
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热插拔 MOSFET 网络
意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM 5x6双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管，新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度，已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。 STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶体管，可用于汽车电机控制、电池极性接反保护和高性能功率开关。厚度0.8mm的PowerFLATTM 5x6 DSC封装保留了标准封装的尺寸和高散热效率的底部设计，同时将顶部的源极曝露在
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意法半导体 MOSFET
英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)壮大现有的CoolMOS™技术产品阵容，推出600 V CoolMOS™ P7和600 V CoolMOS™ C7 Gold (G7)系列。这两个产品系列的击穿电压高达600 V，具备更出色的超结MOSFET性能。它们可在目标应用中实现非常出色的功率密度。 600 V CoolMOS&
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英飞凌 MOSFET
东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出新系列小型封装高压智能功率器件(IPD)，这些产品用于空调、空气净化器和空气泵等各类风扇电机。该新系列包括600V/2.5A “TPD4204F"和500V/2.5A “TPD4206F2"两款产品，产品出货即日启动。 利用东芝最新的MOSFET技术，新系列IPD在新开发的小型表面贴装“SOP30”封装中实现高压和低功率损耗，该封装尺寸仅为20.0mm x 14.2mm。其封装空间仅约为东
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东芝 MOSFET
东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V/650V超结N沟道功率MOSFET，该产品适用于工业和办公设备。该新“DTMOS V系列”最初将提供12款产品。样品发货即日启动，批量生产发货计划于3月中旬启动。 该新系列拥有与东芝当前的“DTMOS IV系列”相同水平的低导通电阻、高速开关性能，同时，其优化的设计流程使EMI性能提升约3至5dB[1]。而且，降低的单位面积导通电阻(RON x A)性能使新的650v 0.
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东芝 MOSFET
意法半导体最新的900V MDmesh™ K5超结MOSFET管让电源设计人员能够满足更高功率和更高能效的系统需求，具有同级最好的导通电阻(RDS(ON))和动态特性。 900V击穿电压确保高总线电压系统具有更高的安全系数。新系列产品含有首个RDS(ON)导通电阻低于100mΩ的900V MOSFET管，是RDS(ON) 电阻最低的DPAK产品。业内最低的栅电荷(Qg)确保开关速度更快，在需要宽输入电压的应用领域，实现更大的配置灵活性。这些特性确保标准准谐振电
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