- 介绍Cypress公司的图像传感器IBIS5-B-1300，分析其特性和工作原理，并对其两种快门方式进行了比较。在此基础上设计它所需要的时序控制电路。选用Xilinx公司的Spartan3系列FPGA芯片XC3S50作为硬件设计平台，对采用不同配置和快门的时序控制电路进行了仿真。实验结果表明，设计的驱动电路能够满足成像器的工作需求。
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时序 设计 驱动 IBIS5-B-1300 图像 传感器 CMOS 数字信号
- 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出支持广泛开发商社群、可提供完整可扩展软硬件的 CC430F513x 微处理器 (MCU)，进一步推动了单芯片射频 (RF) 解决方案的发展。该 CC430F513x MCU 将业界领先的超低功耗 MSP430™ MCU 与 1GHz 以下的高性能 CC1101 RF 收发器进行了完美结合，并采用 7 毫米 x 7 毫米小型封装，不但可实现高达 20 MIPS 的性能，而且还可支持如集成型 AES 硬件模块等安全选项。此外，TI 还推出 CC430F61xx
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TI MCU RF
- 日本DRAM大厂尔必达今天宣布，已经成功开发出4Gbit容量DDR3内存颗粒。这是目前市场上DDR3颗粒的最大容量，只需单面8颗即可组成 4GB容量内存条，双面16颗即可构成单条8GB内存。该颗粒使用40nm CMOS工艺制造，相比同工艺的2Gb颗粒可节能30%。支持x4、x8、x16 bit位宽，其中x4/x8位宽版本采用78-ball FBGA封装，x16bit产品采用96-ball FBGA封装。除DDR3标准的1.5V电压外，还可支持1.35V低压标准。
尔必达计划将该颗粒使用在单条32
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尔必达 40nm CMOS DDR3
- 本文介绍的视频电路组合了音频副载波陷波器、群延迟均衡器和幅度调节电路，在NTSC应用中用于驱动RF视频调制器。
图1所示视频电路组合了ITU-470标准所要求的音频副载波陷波器和群延迟均衡器。电路还包括一个幅度调节
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调制器 RF 驱动 成本 利用
- 低成本CMOS图像传感器对医学技术的推动作用, 医学技术一直是CCD(电荷耦合设备)图像传感器的重要应用领域之一。现在，CMOS传感器已进入高速发展时期。究其原因，首先，CMOS图像质量可与CCS图像相媲美。其次，利用标准半导体制造工艺，CMOS传感器在价格方面占据很
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CMOS 图像传感器 动作
- 象过去多年来一样, 在今年的会上台积电也爆出让人感到惊奇的新工艺技术。它的新工艺路线图, 包括CMOS,Analog,MEMS,RF等领域。以下是在一天的会中对于会议的观察及感受;
1,Morris张去年79岁高令重新执掌台积电, 那时正值全球IC业混乱时代, 它又重新扬帆启航。但是在此次会上见到张时仍是如1990年首次见到它时那样精力充沛而健谈。更重要的是在公司经历40nm的风波后,它似乎为客户重塑了信心及在它的掌舵下公司又重新采取积极的投资, 研发与招工策略, 张认为至今年底公司将从今日的2
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台积电 CMOS Analog MEMS RF
- 韩国三星电子宣布提高CMOS传感器灵敏度的背面照射技术达到了实用化水平，2010年将批量生产产品。至此，三家大型...
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CMOS 传感器
- GSM手机的随处可见正导致不需要的RF信号的持续增加，如果电子电路没有足够的RF抑制能力，这些RF信号会导致电路产生的结果失真。为了确保电子电路可靠工作，对于电子电路RF抑制能力的测量已经成为产品设计必不可少的一
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RF 噪声 抑制 电路 测试 电波 暗室 利用
- 台积电总裁张忠谋认为,虽然近期IC业的形势越来越好, 但是产业还是面临诸多挑战。
在近期举行的台积电技术会上张忠谋表示,摩尔定律正在减缓和芯片制造成本越来越高，因此台积电将比过去在芯片制造商与代工之间更加加强紧密合作。
它对于大家说,此种合作关系要从芯片设计开始, 并相信未来台积电会做得更好。
它同时指出，加强合作要依技术为先。从技术层面, 那些老的，包括新的代工竞争者, 如GlobalFoundries,Samsung及UMC,对于台积电都能构成大的威胁。
非常幸运, 大部分
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台积电 20nm CMOS
- 提出了减小输入电容的轨到轨电压缓冲器。轨到轨操作不仅在电路的输出端，同样在电路的输入端实现。所介绍电路的AB特性导致了低功耗和高的转换速率，使它很适合驱动大的电容负载。仿真结果已经提供了该电路的操作。
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CMOS 低功耗 转换速率 模拟
- 从3G升级到LTE-Advance，对下一代移动通信基础设施的设备和器件供应商提出了诸多挑战。下一代无线设备要求支持更宽的信号带宽、更复杂的调制方式，以便在全球范围内部署的各种运行频段上都能获得更高的数据速率。因此
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IC 集成 设计 策略 RF 发射机 下一代 LTE 基站 针对
- 摘 要： 基于0.18 μm CMOS工艺，采用共源共栅源极负反馈结构，设计了一种3 GHz低噪声放大器电路。从阻抗匹配及噪声优化的角度分析了电路的性能，提出了相应的优化设计方法。仿真结果表明，该放大器具有良好的性能
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3GHz CMOS 低噪声放大器 优化设计
- 这个电路是使用，CMOS集成电路CD4013双D正反器，分别接成一个单稳态电路和一个双稳态电路。单稳态电路的作用是对触摸信号进行脉波宽度整形，保证每次触摸动作都可靠。双稳态电路用来驱动晶体管Q1的开通或关闭，进而控
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开关 触摸 CD4013 集成 CMOS
- 摘要：分析了一种射频COMS共源-共栅低噪声放大器的设计电路，采用TSMC 90nm低功耗工艺实现。仿真结果表明：在5．6GHz工作频率，电压增益约为18．5dB；噪声系数为1．78dB；增益1dB压缩点为-21．72dBm；输入参考三阶交
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CMOS 5.6 GHz 低噪声
- 概述：以CMOS探测器为记录介质的数字化射线检测技术，检测精度高、温度适应性好、结构适应性强。CMOS射线扫描探测器探测单元排成线阵列，需要在检测时进行相对扫描运动，逐线采集并拼成完整的透照投影图像。介绍了检
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设计 应用 检测 射线 探测器 CMOS
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