- 焊接绝缘栅（或双栅）场效应管以及CMOS集成块时，因其输入阻抗很高、极间电容小，少量的静电荷即会感应静电高压，导致器件击穿损坏。笔者通过长期实践摸索出下述焊接方法，取得令人满意的效果。1.焊绝缘栅场效应管。
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CMOS 焊 场效应管 集成电路
- 本文提出一种新颖的射频功率放大器电路结构，使用一个射频功率放大器实现GSM/DCS双频段功率放大功能。同时将此结构射频功率放大器及输出匹配网络与CMOS控制器、射频开关集成至一个芯片模块，组成GSM/DCS双频段射频前端模块，其中射频开关采用高隔离开关设计，使得谐波满足通信系统要求。本文设计的GSM/DCS双频段射频前端模块，在GSM发射模式下，模块天线端输出功率为33dBm，效率38%，谐波抑制-33dBm以下；DCS发射模式下，模块天线端输出功率为30dBm,效率30%，谐波抑制-33dBm以下。
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RF 前端 模块 设计 频段 GSM/DCS 单个 功率放大器 实现
- 4000平方米，136家国内外展商，22场高质量研讨会，超过3,600位专业观众及买家
由中国电子学会主办，《现代雷达》杂志鼎力支持的第四届上海国际微波技术交流展览会于2009年11月18至20日在上海光大会展中心隆重举办。作为中国微波技术领域最具代表性的国际盛会，IME/China每年11月固定在上海举行，至今已成功举办了四届，本届展会汇聚了来自美国、德国、瑞士、加拿大、法国、意大利、爱尔兰、日本、韩国、英国、比利时、新国坡、中国及香港和台湾地区的微波行业知名厂商参加;同期举办的微波技术研讨会
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IME2009 RF 测试测量
- CCD（Charge Coupled Device）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor以下简称CIS）的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后，以电荷的方
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传感器 对比 图像 CCD CMOS 监控
- CCD（ChargeCoupledDevice）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOSImageSensor以下简称CIS）的主要...
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CMOS 图像传感器 CCD 图像传感器 CIS
- 威盛电子在1月4日推出VIA VL810 SuperSpeed集群控制器，这是USB3.0技术时代业内首款支持更高传输速度的整合单芯片解决方案。
USB3.0(即超速USB)的最大数据传输速度可达5Gbps，是现有USB2.0设备传输速度的10倍;此外，该技术还能提高外部设备与主机控制器之间的互动功能，包括能耗管理上的重要改进。
VIA VL810由威盛集团全资子公司VIA Labs研发，它实现在一个USB接口上连接多个设备从而扩展了计算机的USB性能。一个输出接口及四个输入接口不仅支持高
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威盛 USB3.0 CMOS
- 基于0.13微米CMOS工艺下平台式FPGA中可重构RAM模块的一种设计方法,1. 引言
对于需要大的片上存储器的各种不同的应用，FPGA 需要提供可重构且可串联的存储器阵列。通过不同的配置选择，嵌入式存储器阵列可以被合并从而达到位宽或字深的扩展并且可以作为单端口，双端口
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RAM 重构 模块 设计 方法 FPGA 平台 0.13 微米 CMOS 工艺
- 一、引言在实际的RF 电路设计中，经常会遇到检测两个信号之间的幅度比（增益）和相位差的 问题，这也是研究网络相频特性中不可缺少的重要方面。在某些特殊领域，尤其是在一个精 确的窄频段内来进行测量的要求下，这种
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电路 设计 检测 信号 RF 高精度
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随着集成电路技术的广泛应用及集成度的不断增加，超大规模集成电路(VLSI)的功耗、芯片内部的温度不断提高，温度保护电路已经成为了众多芯片设计中必不可少的一部分。本文在CSMC 0．5／μm CMOS工艺下，
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电路 保护 温度 CMOS 功能
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出用于线焊组装的新系列RF螺旋电感器 --- Vishay Electro-Films PSC系列电感器 --- 具有低DCR、高Q值和宽感值范围，提供RF等效电路模型，使得设计者可以对器件性能进行高度精确的计算机仿真。
PSC电感器是针对需要线焊器件的RF电路而设计的，包括在通信系统及测试测量仪器中的阻抗调谐电路、集总元件滤波器和混合RF集成电路。
螺旋电感具有1nH~100nH的宽感
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Vishay RF 螺旋电感器
- IBM研究人员开发出了基于极薄SOI(ETSOI)的全耗尽CMOS技术，面向22nm及以下节点。
在IEDM会议上，IBM Albany研发中心的Kangguo Cheng称该FD-ETSOI工艺已获得了25nm栅长，非常适合于低功耗应用。除了场效应管，IBM的工程师还在极薄SOI衬底上制成了电感、电容等用于制造SOC的器件。
该ETSOI技术包含了几项工艺创新，包括源漏掺杂外延淀积(无需离子注入)，以及提高的源漏架构。
该技术部分依赖于近期SOI晶圆供应商推出了硅膜厚度为6nm的S
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IBM CMOS 22nm SOC
- 锁相环在通讯技术中具有重要的地位，在调制、解调、时钟恢复、频率合成中都扮演着不可替代的角色。可控振荡器是锁相环的核心部分。最近，鉴于对集成电路低功耗和高集成度的追求，越来越多的研究人员投人到基于CMOS工
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CMOS 高频 压控振荡器
- 全球领先的单片机和模拟半导体供应商——Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今天宣布，其符合ZigBee RF4CE的平台已经获得认证，能够实现新一代RF遥控器和消费电子产品。该平台包括Microchip的nanoWatt XLP超低功耗PIC®单片机、MRF24J40 IEEE 802.15.4收发器和已获得美国联邦通信委员会(FCC)认证的模块，以及业内最小存储空间占用的ZigBee RF4CE认证协议栈。
消费电子行业正迅
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Microchip ZigBee RF 单片机
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