摩尔定律在自1965年发明以来的45年中,一直引领着世界半导体产业向实现更低的成本、更大的市场、更高的经济效益前进。然而,随着半导体技术逐渐逼近硅工艺尺寸极限,摩尔定律原导出的“IC的集成度约每隔18个月翻一倍,而性能也将提升一倍”的规律将不再适用。为此,国际半导体技术路线图组织(ITRS)在2005年的技术路线图中,即提出了“后摩尔定律”的概念。近年的技术路线图更清晰地展现了这种摩尔定律与“后摩尔定律”相结合的发展趋势,并认为&
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摩尔定律 MEMS CMOS
赛普拉斯公司日前宣布,推出一款用于高端机器视觉市场的高敏感度、高速CMOS图像传感器。全新的250万像素VITA25K传感器拥有市场上单器件最大的数据吞吐能力,并带有流水线和触发式全域快门。该传感器具有32个10-bit数字低压差分信号(LVDS)输出,可以允许图像数据通过标准的工业协议进行低功耗、低噪声传输。每个通道以620Mbps的速率运行,从而实现53帧每秒(fps)的无畸变高帧频和快速读出。VITA25K是高端机器视觉应用的理想选择,适用于检验机、生物检测(如下一代掌纹读取仪)以及智能交通系统
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Cypress 图像传感器 CMOS
基于RF电路设计中的常见问题及解决方案, 单片射频器件大大方便了一定范围内无线通信领域的应用,采用合适的微控制器和天线并结合此收发器件即可构成完整的无线通信链路。它们可以集成在一块很小的电路板上,应用于无线数字音频、数字视频数据传输系统,无线遥
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解决方案 常见问题 电路设计 RF 基于
向低碳社会挺进的美国打算控制智能电网领域的主导权,并声称将为此竭力取得智能电网的国际标准。目前,NIST(美国国家标准技术研究所)已开始与日本经济产业省展开标准化讨论,而且IEC(国际电工委员会)也在美国主导下展开了研究。包括政府保证的额度在内,美国准备向可再生能源等绿色产业投入 1000亿美元的资金,力争在2020年之前将温室气体比2005年削减14%。这一目标的实现要依靠节能、可再生能源及环保汽车(插电混合动力车)为主力军,而作为可为此提供依托的基础设施,智能电网被寄予了厚望。
对标准的掌控
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半导体 MCU RF
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日宣布,公司增加在射频研发的投资,2010年上半年先后在中国上海以及美国马塞诸塞州比尔里卡市开设两家恩智浦高性能射频(RF)产品技术中心。中心主要从事射频/微波集成电路(IC)设计,涉及领域包括国防航空、工业、科学和医学卫星接收器及宽带通信中等。其中,于年内第一季度成立的上海恩智浦高性能射频产品技术中心主要关注从射频前端到末级放大器的射频器件设计开发、技术支持、售后服务等一条龙全方位射频解决方案。目前上海公司市场部、技术部人才招聘正在进行。
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NXP RF
本文设计并实施了一款基于最新MEMS(微电子机械系统)技术的可以空中使用的鼠标产品,以满足当前计算机快速家电化、娱乐化的需求。本设计集成了先进的微电子机械系统技术(MEMS)、2.4G低功耗无线射频通信技术(2.4G/RF)、USB接口技术以及实时多任务操作系统uC/OS技术。本产品可以让鼠标脱离桌面环境,方便易用,让用户获得家电化的计算机操作体验,是一款真正“可以飞的鼠标”。同时,其所用的技术还可以渗透到其他传统的遥控器中,以大幅提升用户体验。
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时代民芯 MEMS 空中鼠标 2.4G RF
瑞萨电子开发出了一种新型SRAM电路技术,可克服因微细化而增加的CMOS元件特性不均现象,还能在维持速度的同时,以更小的面积实现合适的工作裕度。以上内容是在半导体电路技术相关国际会议“2010 Symposium on VLSI Circuits”上发布的(论文序号:10.2)。作为40nm工艺的产品,该公司试制出了bit密度达到业界最高水平的SRAM,并确认了其工作性能。主要用于实现40nm工艺以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。
在So
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瑞萨电子 SRAM CMOS
全球领先的芯片制造协会SEMATECH和先进无线芯片供应商Qualcomm宣布Qualcomm已与SEMATECH签署了合作协议,共同推进CMOS技术进一步发展。Qualcomm是第一家进入SEMATECH的芯片设计公司,Qualcomm将深入参与和SEMATECH的研发项目,共同探索延续摩尔定律的新技术。
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Qualcomm CMOS 芯片设计
本文的低压低功耗 CFOA,它在只需1V 电源电压情况下,仅产生0.7mW 功耗,84.2dB 的开环增益,62°的相位裕度,高达138dB 的共模抑制比, -0.85V~0.97V 的输出电压范围
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CMOS 0.5 um 电流反馈
用来计算TTL集电极开路输出电路静态功耗的公式如下:其中:VT=上拉电阻的有效端接电压 R=端接电阻的有效值 VHI=高电平输出(通常等于VT) VLO=低电平输出 VEE=输出晶体管的射极(或源极
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CMOS TTL 集电极开路 功耗
端到端网络流的介绍
NI端到端网络(P2P)流技术使用PCI Express接口在多个设备之间直接,点对点传输,而不必通过主处理器或存储器。这可使同一个系统中的设备共享信息而不必占用其它的系统资源。NI P2P技术被以下设备支持:PXI Express NI FlexRIO现场可编程门阵列(FPGA)模块(NI PXIe-7961R, PXIe-7962R, and PXIe-7965R),PXI Express数字化仪和矢量信号分析仪,包括NI PXIe-5122,PXIe-5622和 PXI
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NI RF 端到端
引言 本文采用±5V电源,设计出了一种以模拟乘法器为核心电路的输出信号与控制电压成高线性度的电路,并且实现了单端控制和单端输出。它在锁相环、自动增益控制、正弦脉宽调制(SPWM)、模拟运算等方面有着很好的使用
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CMOS 高线性度 调幅 电路技术
CMOS双向开关也称CMOS传输门。CMOS双向开关在模拟电路和数字电路应用非常广泛。集成电路CMOS双向开关产品有CC4066/4051/4052/4053等,性能优良,使用方便且成本低。每个开关只有一个控制端和两互为输入/输出信号端,
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CMOS 开关 工作原理
BLF888是500W LDMOS RF功率晶体管,用于广播发射和工业应用。在UHF频带470 MHz 到860 MHz可提供平均功率110W,峰值包络功率500W,功率增益19dB,漏极效率46%,VDS 电压50 V,漏极静态电流1.3A。本文主要介绍了BLF888
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广播 发射 方案 RF 500W BLF888 设计 基于
MAX19994A是双路RF下变换器,RF范围从1200MHz到2000MHz,LO范围从1450MHz 到 2050MHz,IF范围从50MHz到500MHz,典型的转换增益为8.4dB,典型的噪音为9.8dB,输入IP3典型值为+25dBm,输入1dB压缩点为+14dBm,单电源5.0V 或3.3
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变换 方案 RF 双路 MAX19994A 设计 基于
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