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偏置电流 手机 功率放大器 RF
在单反摄影上，23倍光学变焦是不可能实现的天涯镜。这是因为数字单反相机相对庞大的传感器（CMOS），高要求的成像质量。后者详细来说，太大的变焦比，需要更多的光学镜片实现。定焦无狗头的说法在于定焦的光学结构简单，光线在入射过程中，不会因太多镜片而发生色散、相差。但这个道理对摄像机并不适用。
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单反 光学变焦 CMOS 23倍
本文介绍的视频电路组合了音频副载波
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调制器 RF 驱动 成本
金属氧化物半导体元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感器和电荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)摄像器件在20年前几乎是同时起步的。CCD是应用在摄影摄像方面的高端技术元件，CMOS则应
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原理 应用 传感器 图像 CMOS 新型
GSM手机的随处可见正导致不需要的RF信号的持续增加，如果电子电路没有足够的RF抑制能力，这些RF信号会导致电路产生的结果失真。为了确保电子电路可靠工作，对于电子电路RF抑制能力的测量已经成为产品设计必不可少的一
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能力 测量 技术 抑制 噪声 集成电路 RF 通用
ADI公司，全球领先的高性能信号处理解决方案供应商和RF IC(射频集成电路)领先者，最近推出两款新的PLL频率合成器ADF4151和ADF4196，这些器件能够提供最大的灵活性和最佳的相位噪声性能，可简化多种应用的设计，包括通信基础设施基站、脉冲和多普勒雷达应用、测试与测量仪器设备、微波点对点系统、专业移动无线电(PMR)、甚小孔径终端(VSAT)、航空航天系统等等。
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ADI RF ADF4151
从3G升级到LTE-Advance，对下一代移动通信基础设施的设备和器件供应商提出了诸多挑战。下一代无线设备要求支持更宽的信号带宽、更复杂的调制方式，以便在全球范围内部署的各种运行频段上都能获得更高的数据速率。因此
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IC 集成 设计 RF 发射机 LTE 基站 下一代
概述：以CMOS探测器为记录介质的数字化射线检测技术，检测精度高、温度适应性好、结构适应性强。CMOS射线扫描探测器探测单元排成线阵列，需要在检测时进行相对扫描运动，逐线采集并拼成完整的透照投影图像。介绍了检测工装设计，完成了探测器的固定、位置调节及实现与检测工件的相对运动。介绍了检测应用中的探测器配置与校准、透照方式选取、运动速度控制、检测参数优化、缺陷定量分析和图像存档管理等。应用结果表明，经过工艺优化，CMOS探测器能够实现大多数产品零部件的射线检测。最后分析了应用中存在的问题及后续研究方向。
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设计 应用 检测 射线 CMOS 探测器 基于
RF(Radio Frequency)专指具有一定波长可用于无线电通信的电磁波，电磁波可由其频率表述为：KHz(千赫)，MHz(兆赫)及GHz(千兆赫)；其频率范围为VLF(极低频)也即10-30KHz至EHF(极高频)也即30-300GHz。RF(射频)技术被广泛
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无线 监控系统 探讨 溶解 鱼塘 射频 RF 技术 基于
CMOS图像通道在超声诊断仪中的应用,1 引言 随着医疗诊断仪器小型化、便携化的进程，高性能32位微处理器正在越来越多地应用于各类小型医疗影像设备中，但是如何利用这些微处理器传送和处理实时图像，却是一个丞待解决的问题。从ARM 7系列开始，ARM处理器
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CMOS 图像 超声诊断仪 中的应用
在过去五年中，汽车行业中驾驶辅助系统（automotivedriverassistancesystems，ADAS）领域取得了显著进步，真正...
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CMOS ADAS 汽车电子
高增长的经济体如巴西、印度尼西亚、印度和中国已出现新兴中产阶级和快速增长的汽车市场。这些市场要求汽车零售价相对较低，因此给汽车组件带来很大的成本压力。此外，在发达经济体如美国、欧洲国家和日本的汽车市场
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CMOS 接收器 芯片设计 汽车
拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商IDT公司 (Integrated Device Technology, Inc.; ) 宣布，已推出两款面向手机基站设备的低功耗、低失真射频(RF)至中频(IF)混频器以扩展其模拟无线基础设施产品组合。新的器件可改善系统三阶互调(IM3)性能并减少功耗，从而实现改进的服务质量(QoS)和 4G 无线基础设施应用中更小的附件和增强的可靠性。
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IDT RF 混频器
CL102型CMOS-LED数码显示器电路图CMOS-LED数码显示器的，亦叫十进制技术、译码驱动显示器，是一种功能齐全，使用 ...
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CL102 CMOS-LED 数码显示器
来自瑞典歌德堡(Gothenburg)的查默斯理工大学(Chalmers University of Technology)的研究人员发现，以碳纳米管来填充采用硅穿孔技术(TSV)连结的 3D芯片堆栈，效果会比铜来得更好。
TSV是将芯片以3D堆栈方式形成一个系统，而非将它们平行排列在电路板上，以提高芯片之间通讯的速度;但遗憾的是，目前用以填充硅晶孔洞的铜，却会导致热膨胀(thermal expansion)的问题，因为铜遇热会比周围的硅材料膨胀更多。
「碳纳米管的许多特性都优于铜，包括热
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TSV芯片 CMOS
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