- 科锐公司（Nasdaq: CREE）日前宣布，截至2011 年 4 月，公司的无线射频（RF）业务部门已出货的商用碳化硅衬底氮化镓 (GaN-on-SiC) RF 功率晶体管和 MMIC 产品的合计 RF 输出功率已突破 10 兆瓦。这一里程碑式成果充分说明了科锐的氮化镓HEMT 和氮化镓 MMIC 技术拥有高兼容性、可靠性和业经证明的优异性能。这 10 兆瓦中只包括商用 RF 产品，不包含氮化镓 MMIC 晶圆代工业务的 1.5 兆瓦出货量。
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科锐 RF
- 目前，包括移动设备在内的很多多媒体设备上都使用了摄像头，而且还在以很快的速度更新换代。目前使用的摄像头分为两种：CCD(Charge Couple Device电荷偶合器件)和 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor互补
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Sensor CMOS 调试 经验
- 硅片RF LDMOS功率晶体管的全球领先厂商飞思卡尔半导体 (NYSE: FSL)日前推出新型Airfast RF功率解决方案，旨在为全球无线基础设施设备制造商提供RF功率产品，将性能和能效提升至新的高度。
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飞思卡尔 RF Airfast
- 1 引言 集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。 一个典型的数字锁相环结构如图1 所示
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设计 振荡器 CMOS
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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抗干扰能力 GSM蜂窝电话 RF 噪声抑制
- 制定行业公认的标准是研究纳米技术必不可少的先期工作
就像1849年出现的加利福尼亚淘金热一样，纳米技术的出现也带来了巨大机遇和极大风险。正如在淘金热时代出现了很多新技术、利益和挑战一样，人们对纳米技术的探索也将不可避免地促使人们开发一些新工具突破纳米关键技术，抓住创造巨大财
富的机遇，但是也存在给环境、健康和安全带来灾难性影响的可能性。尽管纳米技术将毋庸置疑地形成很多爆炸性的技术，催生很多新的研究领域，但是也可能对那些不了解
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纳米 CMOS
- 本文介绍了电荷俘获的原理以及直流特征分析技术对俘获电荷进行定量分析的局限性。接下来，本文介绍了一种超快的脉冲I-V分析技术，能够对具有快速瞬态充电效应（FTCE）的高k栅晶体管的本征（无俘获）性能进行特征分析。
先进CMOS器件高k栅技术的进展
近年来，高介电常数（高k）材料，例如铪氧化物（HfO2）、锆氧化物（ZrO2）、氧化铝（Al2O3）以及
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脉冲 CMOS
- SuVolta日前宣布推出PowerShrink™低功耗平台。该平台可以有效降低CMOS集成电路2倍以上的功耗，同时保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半导体有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)今天还共同宣布，富士通已获得授权使用SuVolta创新型PowerShrink™低功耗技术。
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SuVolta CMOS
- 6月9日，应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美(ON Semiconductor)半导体推出五款超小封装的低压降(LDO) 线性稳压器，强化用于智能手机及其他便携电子应用的现有产品阵容。这些新器件基于互补金属氧化物半导体(CMOS)技术，均能提供150毫安(mA)的输出电流。
NCP4682和NCP4685超低电流稳压器的供电电流仅为典型值1微安(µA)，输出电压范围为1.2伏(V)至3.3 V。
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安森美 CMOS NCP4682
- 致力实现智能、安全，以及互连世界的半导体技术领先供应商─美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)宣布，公司已于2011年5月27日完成对AML Communications, Inc. (OTCBB:AMLJ) 之收购。
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Microsemi RF
- 基准电压源可广泛应用于A/D、D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工艺设计了具有高稳定度、低温漂、低输出电压为0.6 V的CMOS基准电压源。
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设计 电压 基准 CMOS 0.18
- 在不了解会受到何种损害的情况下，具备高深的数字电子知识的设计师发现，当需要给无线器件确定滤波器参数时...
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RF 微波 滤波器
- 固定WiMAX标准基于正交频分复用(OFDM) 技术，使用256个副载波; 该标准支持1.75~ 28 MHz范围内的多个信道带宽，同时支持多种不同的调制方案，包括BPSK、QPSK、16QAM 和64QAM。 1 主要芯片完成功能
本设备采用
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系统 设计 RF WiMAX OFDM 基于
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