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RF 因特网 机场集成行李 处理系统
- 引言 在机场集成行李处理中，行李分拣、定位、跟踪、监控在整个机场集成行李管理链中起着至关重要的作用，如果不能保证正确的分拣和定位控制及跟踪，将会直接导致管理费用的增加，服务质量难以得到保证，从而影响
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行李 处理 理系 集成 机场 RF 因特网 基于
- 日前，德州仪器宣布推出新款 1 GHz 以下无线射频（RF） Value Line 系列产品，为开发人员提供适用于遥控器、玩具、家庭、楼宇自动化及安全系统等 1 GHz以下RF应用的低成本联机解决方案。1 GHz 以下 RF Value Line 系列产品包括CC115L 发送器、CC113L 接收器及 CC110L 收发器，即日起上市供应。若大量采购，其完整双芯片单向 RF 链接成本不到 1 美元。新款产品采用 TI 的 1 GHz 以下 CC1101 RF 技术，而且引脚、注册表及程序代码完全兼容，并
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TI RF Value Line
- 7月10日，北京思比科微电子董事长陈杰在东莞松山湖IC创新高峰论坛上透露，公司已于去年12月完成公司股份制改造，现已进入创业板辅导流程。
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思比科 CMOS
- CMOS成像技术的领先创新厂商Aptina公司宣布其Aptina MobileHDR 技术最近在6Sight Mobile Imaging Summit上荣获国际成像行业协会(International Imaging Industry Association, I3A)颁发VISION 2020成像技术创新铜奖。
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Aptina CMOS
- 高性能模拟与混合信号IC领导厂商Silicon Laboratories 今日宣布其广播收音机IC出货量已达十亿颗，缔造了广播音频市场的重要里程碑。Silicon Labs的数字CMOS广播收音机芯片广泛应用于手机、便携式媒体播放器(PMP)、个人导航装置(PND)、汽车信息娱乐系统、桌面和床头收音机、便携式收音机、音响和许多其他消费电子产品。
Silicon Labs公司于2005年推出业界首颗单芯片FM接收器。作为业界最小、最高性能和集成度的FM广播收音机IC，Si4700 IC重构了消
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Silicon-Labs IC CMOS
- 摘要：RF衰减是无线设计中的常见电路，本应用笔记详细描述了几种采用PIN二极管和电流源DAC控制RF衰减的方法。
PIN二极管通常作为TV调谐器中的RF信号以及固定通信设备中宽带RF的可变衰减器。这类二极管可以作为分立
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RF 衰减 温度 补偿 提供 二极管 DAC 配合 PIN 电流
- 科锐公司（Nasdaq: CREE）日前宣布，截至2011 年 4 月，公司的无线射频（RF）业务部门已出货的商用碳化硅衬底氮化镓 (GaN-on-SiC) RF 功率晶体管和 MMIC 产品的合计 RF 输出功率已突破 10 兆瓦。这一里程碑式成果充分说明了科锐的氮化镓HEMT 和氮化镓 MMIC 技术拥有高兼容性、可靠性和业经证明的优异性能。这 10 兆瓦中只包括商用 RF 产品，不包含氮化镓 MMIC 晶圆代工业务的 1.5 兆瓦出货量。
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科锐 RF
- 目前，包括移动设备在内的很多多媒体设备上都使用了摄像头，而且还在以很快的速度更新换代。目前使用的摄像头分为两种：CCD(Charge Couple Device电荷偶合器件)和 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor互补
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Sensor CMOS 调试 经验
- 硅片RF LDMOS功率晶体管的全球领先厂商飞思卡尔半导体 (NYSE: FSL)日前推出新型Airfast RF功率解决方案，旨在为全球无线基础设施设备制造商提供RF功率产品，将性能和能效提升至新的高度。
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飞思卡尔 RF Airfast
- 1 引言 集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。 一个典型的数字锁相环结构如图1 所示
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设计 振荡器 CMOS
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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抗干扰能力 GSM蜂窝电话 RF 噪声抑制
- 制定行业公认的标准是研究纳米技术必不可少的先期工作
就像1849年出现的加利福尼亚淘金热一样，纳米技术的出现也带来了巨大机遇和极大风险。正如在淘金热时代出现了很多新技术、利益和挑战一样，人们对纳米技术的探索也将不可避免地促使人们开发一些新工具突破纳米关键技术，抓住创造巨大财
富的机遇，但是也存在给环境、健康和安全带来灾难性影响的可能性。尽管纳米技术将毋庸置疑地形成很多爆炸性的技术，催生很多新的研究领域，但是也可能对那些不了解
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纳米 CMOS
- 本文介绍了电荷俘获的原理以及直流特征分析技术对俘获电荷进行定量分析的局限性。接下来，本文介绍了一种超快的脉冲I-V分析技术，能够对具有快速瞬态充电效应（FTCE）的高k栅晶体管的本征（无俘获）性能进行特征分析。
先进CMOS器件高k栅技术的进展
近年来，高介电常数（高k）材料，例如铪氧化物（HfO2）、锆氧化物（ZrO2）、氧化铝（Al2O3）以及
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脉冲 CMOS
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