CCD和CMOS是当前主要的两项成像技术，它们产生于不同的制造工艺背景，就当前技术言仍各具优劣。选择CCD或CMOS摄像机应依据适用环境和要求，合适选用CCD或CMOS技术，便能使图像监控达到预期的效果。另外，还可看到，C
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分析 技术 主要 CMOS CCD
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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WAN 通讯结合 GPS RF
一、 关于手机RF干扰问题的解决 针对GSM手机的RF干扰问题，刘俊勇指出，GSM 手机是TDMA工作方式，RF收发并不是同时进行的，减少RF干扰的基本原则是一定要加强匹配和隔离。 在设计时要考虑到发射机处于大功率发
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方案 难点 设计 RF 手机
摘要：利用共源共栅电感可以提高共源共栅结构功率放大器的效率。这里提出一种采用共源共栅电感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的设计方案，使用CMOS工艺设计了两级全差分放大电路，在此基础上设计输入输出匹配网络
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CMOS 共源共栅 功率放大器 方案
研华TREK产品采用辅助GPS（A-GPS）、航位推算、蓝牙和WWAN协议（GPRS/GSM或CDMA/HSDPA），能够保证设备在高楼、山区、峡谷、隧道和地下停车场等区域正常工作，提升车队管理效率和竞争力。TREK系列产品采用宽温工作范
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RF 解决方案 结合 通讯 WAN GPS
摘要：传统基准电路主要采用带隙基准方案，利用二级管PN结具有负温度系数的正向电压和具有正温度系数的VBE电压得出具有零温度系数的基准。针对BJT不能与标准的CMOS工艺兼容的缺陷，利用NMOS和PMOS管的两个阈值电压VT
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CMOS VTH 电压基准
摘要：文章基于CMOS 0．18mu;m工艺，在Hspice下，对四利PMOS管基准电压源进行了分析和仿真，文中给出了每种电路仿真时的电路参数和仿真结果。
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仿真 分析 电压 基准 CMOS
艾克赛利(Accelicon)，器件级建模验证以及PDK解决方案的技术领导者，宣布将出席于2011年10月3日到6日在美国亚利桑那州Tempe市举办的IEEE国际绝缘体上硅大会(2011 IEEE International SOI Conference)，并在会上介绍业内最新BSIM-IMG模型的应用情况。
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艾克赛利 CMOS
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高速通信 混频器 调制器 混频 RF
摘要：片上系统射频功率放大器是射频前端的重要单元。通过分析和对比各类功率放大器的特点，电路采用SMIC0．35-mu;mCMOS工艺设计2．4 GHz WLAN全集成线性功率放大器。论文中设计的功率放大器采用不同结构的两级放大
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4GHz CMOS 35 集成
图1中电路会根据一个脉冲，切换一个DPDT（双刀双掷）锁存继电器的状态。它包括一个瞬动开关至步进电压信号发生器，一个差分脉冲转换器，一个继电器驱动器，以及一个继电器线圈。 瞬动开关提供驱动电路的步进电压信
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研究 电路 CMOS 继电器
我们发现日益改进的静电学及晶体管传输有助于形成一种成熟的方法，这种方法能够降低有源和待机功耗。要做到这一点，新型晶体管结构和材料拓展了性能?功耗设计空间，使之超跃了传统的本体硅晶体管。最终，通过构成一个由多层系统-电路-器件电源管理生态系统构成的底层，晶体管的创新将会继续在定义下一代提高功效的策略时发挥关键作用。
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CMOS 器件 功效 功率 提高 MOSFET 方案 非传统
摘要：设计了一种基于0．25 mu;m CMOS工艺的低功耗片内全集成型LDO线性稳压电路。电路采用由电阻电容反馈网络在LDO输出端引入零点，补偿误差放大器输出极点的方法，避免了为补偿LDO输出极点，而需要大电容或复杂补偿
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稳压器 设计 线性 LDO 成型 CMOS 全集
摘要：采用TSMC 0．18 mu;m 1P6M工艺设计了一个12位50 MS／s流水线A／D转换器(ADC)。为了减小失真和降低功耗，该ADC利用余量增益放大电路(MDAC)内建的采样保持功能，去掉了传统的前端采样保持电路，采用时间常数匹配
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流水线 转换器 CMOS MS 12位 一种
射频功率的频域测量是利用频谱和矢量信号分析仪所进行的最基本的测量。这类系统必须符合有关标准对功率传输和寄生噪声辐射的限制，还要配有合适的测量技术来避免误差。 像频率范围、中心频率、分辨带宽(RBW)和测量
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寄生 噪声 辐射 功率 RF 频谱 分析 限制 利用
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